Produktverzeichnis > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

Resultate: 3
3 verbleibend
Filteroptionen:
Verpackung
Auswahl aufheben
Weitere Filter
Weniger Filter
Ergebnisse sortieren nach:
Preise anzeigen für:
  • Lagerstatus
  • Verfügbare Medien
  • Umweltverträglichkeit
  • MARKTPLATZPRODUKT
3 verbleibend

RS1G300GNTB
Resultate pro Seite
Seite 1/1
Artikel vergleichen Datasheets Abbildung Digi-Key Teilenummer Hersteller-Teilenummer Hersteller Beschreibung Verfügbare Menge
Stückpreis
EUR
Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RS1G300GNTB Datasheet RS1G300GNTB - Rohm Semiconductor RS1G300GNTBTR-ND RS1G300GNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP 0 Verfügbar: 0 €0,76712 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 30 A (Ta) 4,5V, 10V 2,5mOhm bei 30A, 10V 2,5V bei 1mA 56,8nC @ 10V ±20V 4230pF @ 20V
-
3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-HSOP 8-PowerTDFN
RS1G300GNTB Datasheet RS1G300GNTB - Rohm Semiconductor RS1G300GNTBCT-ND RS1G300GNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP 0 Verfügbar: 0 €1,66000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 30 A (Ta) 4,5V, 10V 2,5mOhm bei 30A, 10V 2,5V bei 1mA 56,8nC @ 10V ±20V 4230pF @ 20V
-
3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-HSOP 8-PowerTDFN
RS1G300GNTB Datasheet RS1G300GNTB - Rohm Semiconductor RS1G300GNTBDKR-ND RS1G300GNTB Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP 0 Verfügbar: 0 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 30 A (Ta) 4,5V, 10V 2,5mOhm bei 30A, 10V 2,5V bei 1mA 56,8nC @ 10V ±20V 4230pF @ 20V
-
3W (Ta), 35W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-HSOP 8-PowerTDFN
Resultate pro Seite
Seite 1/1

09:42:02 10.18.2021