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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RS1E240BNTB
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RS1E240BNTB Datasheet RS1E240BNTB - Rohm Semiconductor RS1E240BNTBTR-ND RS1E240BNTB MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,17241 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 24 A (Ta) 4,5V, 10V 3,2mOhm bei 24A, 10V 2,5V bei 1mA 70nC @ 10V ±20V 3900pF @ 15V
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3W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-HSOP 8-PowerTDFN
RS1E240BNTB Datasheet RS1E240BNTB - Rohm Semiconductor RS1E240BNTBCT-ND RS1E240BNTB MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP 487 - Sofort Verfügbar: 487 0,48000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 24 A (Ta) 4,5V, 10V 3,2mOhm bei 24A, 10V 2,5V bei 1mA 70nC @ 10V ±20V 3900pF @ 15V
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3W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-HSOP 8-PowerTDFN
RS1E240BNTB Datasheet RS1E240BNTB - Rohm Semiconductor RS1E240BNTBDKR-ND RS1E240BNTB MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP 487 - Sofort Verfügbar: 487 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 24 A (Ta) 4,5V, 10V 3,2mOhm bei 24A, 10V 2,5V bei 1mA 70nC @ 10V ±20V 3900pF @ 15V
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3W (Ta), 30W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-HSOP 8-PowerTDFN
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11:46:46 8.14.2020