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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RRH090P03TB1
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RRH090P03TB1 Datasheet RRH090P03TB1 - Rohm Semiconductor 846-RRH090P03TB1TR-ND RRH090P03TB1 MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC 0 Verfügbar: 0 0,48568 €
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Nicht für Neukonstruktionen P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 9 A (Ta) 4V, 10V 15,4mOhm bei 9A, 10V 2,5V bei 1mA 30nC @ 5V ±20V 3000pF @ 10V
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650mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOP 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RRH090P03TB1 Datasheet RRH090P03TB1 - Rohm Semiconductor 846-RRH090P03TB1CT-ND RRH090P03TB1 MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC 2.346 - Sofort Verfügbar: 2.346 1,12000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 9 A (Ta) 4V, 10V 15,4mOhm bei 9A, 10V 2,5V bei 1mA 30nC @ 5V ±20V 3000pF @ 10V
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650mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOP 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
RRH090P03TB1 Datasheet RRH090P03TB1 - Rohm Semiconductor 846-RRH090P03TB1DKR-ND RRH090P03TB1 MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC 2.346 - Sofort Verfügbar: 2.346 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 9 A (Ta) 4V, 10V 15,4mOhm bei 9A, 10V 2,5V bei 1mA 30nC @ 5V ±20V 3000pF @ 10V
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650mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOP 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
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22:10:22 8.13.2020