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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RQ6E080AJTCR
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RQ6E080AJTCR Datasheet RQ6E080AJTCR - Rohm Semiconductor RQ6E080AJTCRTR-ND RQ6E080AJTCR MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,24064 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 8 A (Ta) 2,5V, 4,5V 16,5mOhm bei 8A, 4,5V 1,5V bei 2mA 16,2nC @ 4,5V ±12V 1810pF @ 15V
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950mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
RQ6E080AJTCR Datasheet RQ6E080AJTCR - Rohm Semiconductor RQ6E080AJTCRCT-ND RQ6E080AJTCR MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6 742 - Sofort Verfügbar: 742 0,62000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 8 A (Ta) 2,5V, 4,5V 16,5mOhm bei 8A, 4,5V 1,5V bei 2mA 16,2nC @ 4,5V ±12V 1810pF @ 15V
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950mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
RQ6E080AJTCR Datasheet RQ6E080AJTCR - Rohm Semiconductor RQ6E080AJTCRDKR-ND RQ6E080AJTCR MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6 742 - Sofort Verfügbar: 742 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 8 A (Ta) 2,5V, 4,5V 16,5mOhm bei 8A, 4,5V 1,5V bei 2mA 16,2nC @ 4,5V ±12V 1810pF @ 15V
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950mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
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00:43:19 4.19.2021