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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RQ6E030SPTR
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RQ6E030SPTR Datasheet RQ6E030SPTR - Rohm Semiconductor RQ6E030SPTR-ND RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
€0,18360 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 3 A (Ta) 4V, 10V 80mOhm bei 3A, 10V 2,5V bei 1mA 6nC @ 5V ±20V 440pF @ 10V
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950mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
RQ6E030SPTR Datasheet RQ6E030SPTR - Rohm Semiconductor RQ6E030SPCT-ND RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 2.854 - Sofort Verfügbar: 2.854 €0,52000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 3 A (Ta) 4V, 10V 80mOhm bei 3A, 10V 2,5V bei 1mA 6nC @ 5V ±20V 440pF @ 10V
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950mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
RQ6E030SPTR Datasheet RQ6E030SPTR - Rohm Semiconductor RQ6E030SPDKR-ND RQ6E030SPTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 2.854 - Sofort Verfügbar: 2.854 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 3 A (Ta) 4V, 10V 80mOhm bei 3A, 10V 2,5V bei 1mA 6nC @ 5V ±20V 440pF @ 10V
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950mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
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00:33:47 9.22.2021