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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RQ6C050BCTCR
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RQ6C050BCTCR Datasheet RQ6C050BCTCR - Rohm Semiconductor RQ6C050BCTCRTR-ND RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,26319 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 5 A (Tc) 4,5V 36mOhm bei 5A, 4,5V 1,2V bei 1mA 10,4nC @ 4,5V ±8V 740pF @ 10V
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1,25W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
RQ6C050BCTCR Datasheet RQ6C050BCTCR - Rohm Semiconductor RQ6C050BCTCRCT-ND RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6 226 - Sofort Verfügbar: 226 0,68000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 5 A (Tc) 4,5V 36mOhm bei 5A, 4,5V 1,2V bei 1mA 10,4nC @ 4,5V ±8V 740pF @ 10V
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1,25W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
RQ6C050BCTCR Datasheet RQ6C050BCTCR - Rohm Semiconductor RQ6C050BCTCRDKR-ND RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6 226 - Sofort Verfügbar: 226 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 5 A (Tc) 4,5V 36mOhm bei 5A, 4,5V 1,2V bei 1mA 10,4nC @ 4,5V ±8V 740pF @ 10V
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1,25W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT6 (SC-95) SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
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15:48:51 6.18.2021