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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RQ5E070BNTCL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RQ5E070BNTCL Datasheet RQ5E070BNTCL - Rohm Semiconductor RQ5E070BNTCLTR-ND RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,22070 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 7 A (Tc) 10V 16,1mOhm bei 7A, 10V 2,5V bei 1mA 23nC @ 10V ±20V 950pF @ 15V
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1W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT3 SC-96
RQ5E070BNTCL Datasheet RQ5E070BNTCL - Rohm Semiconductor RQ5E070BNTCLCT-ND RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3 113 - Sofort Verfügbar: 113 0,57000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 7 A (Tc) 10V 16,1mOhm bei 7A, 10V 2,5V bei 1mA 23nC @ 10V ±20V 950pF @ 15V
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1W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT3 SC-96
RQ5E070BNTCL Datasheet RQ5E070BNTCL - Rohm Semiconductor RQ5E070BNTCLDKR-ND RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3 113 - Sofort Verfügbar: 113 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 7 A (Tc) 10V 16,1mOhm bei 7A, 10V 2,5V bei 1mA 23nC @ 10V ±20V 950pF @ 15V
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1W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT3 SC-96
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