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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RQ5E025SNTL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente Typ FET Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RQ5E025SNTL Datasheet RQ5E025SNTL - Rohm Semiconductor RQ5E025SNTLTR-ND RQ5E025SNTL RQ5E025SN IS A SMALL SIGNAL MOSF 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,13936 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 2,5 A (Ta) 4V, 10V 70mOhm bei 2,5A, 10V 2,5V bei 1mA 4,1nC @ 5V ±20V 165pF @ 10V
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700mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT3 SC-96
RQ5E025SNTL Datasheet RQ5E025SNTL - Rohm Semiconductor RQ5E025SNTLCT-ND RQ5E025SNTL RQ5E025SN IS A SMALL SIGNAL MOSF 2.870 - Sofort Verfügbar: 2.870 0,39000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 2,5 A (Ta) 4V, 10V 70mOhm bei 2,5A, 10V 2,5V bei 1mA 4,1nC @ 5V ±20V 165pF @ 10V
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700mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT3 SC-96
RQ5E025SNTL Datasheet RQ5E025SNTL - Rohm Semiconductor RQ5E025SNTLDKR-ND RQ5E025SNTL RQ5E025SN IS A SMALL SIGNAL MOSF 2.870 - Sofort Verfügbar: 2.870 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 2,5 A (Ta) 4V, 10V 70mOhm bei 2,5A, 10V 2,5V bei 1mA 4,1nC @ 5V ±20V 165pF @ 10V
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700mW (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT3 SC-96
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21:04:14 6.2.2020