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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RQ5E025ATTCL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RQ5E025ATTCL Datasheet RQ5E025ATTCL - Rohm Semiconductor RQ5E025ATTCLTR-ND RQ5E025ATTCL MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3 6.000 - Sofort Verfügbar: 6.000 0,10321 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 2,5 A (Ta) 10V 91mOhm bei 2,5A, 10V 2,5V bei 1mA 2,7nC @ 4,5V ±20V 220pF @ 15V
-
1W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT3 SC-96
RQ5E025ATTCL Datasheet RQ5E025ATTCL - Rohm Semiconductor RQ5E025ATTCLCT-ND RQ5E025ATTCL MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3 9.898 - Sofort Verfügbar: 9.898 0,38000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 2,5 A (Ta) 10V 91mOhm bei 2,5A, 10V 2,5V bei 1mA 2,7nC @ 4,5V ±20V 220pF @ 15V
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1W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT3 SC-96
RQ5E025ATTCL Datasheet RQ5E025ATTCL - Rohm Semiconductor RQ5E025ATTCLDKR-ND RQ5E025ATTCL MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3 9.898 - Sofort Verfügbar: 9.898 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 2,5 A (Ta) 10V 91mOhm bei 2,5A, 10V 2,5V bei 1mA 2,7nC @ 4,5V ±20V 220pF @ 15V
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1W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TSMT3 SC-96
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