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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RJ1G12BGNTLL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RJ1G12BGNTLL Datasheet RJ1G12BGNTLL - Rohm Semiconductor RJ1G12BGNTLLTR-ND RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 120A LPTL 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
€2,01432 1.000 Minimum : 1.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 120 A (Tc) 4,5V, 10V 1,86mOhm bei 50A, 10V 2,5V bei 2mA 165nC @ 10V ±20V 12500pF @ 20V
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178W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTL TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
RJ1G12BGNTLL Datasheet RJ1G12BGNTLL - Rohm Semiconductor RJ1G12BGNTLLCT-ND RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 120A LPTL 772 - Sofort Verfügbar: 772 €3,81000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 120 A (Tc) 4,5V, 10V 1,86mOhm bei 50A, 10V 2,5V bei 2mA 165nC @ 10V ±20V 12500pF @ 20V
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178W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTL TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
RJ1G12BGNTLL Datasheet RJ1G12BGNTLL - Rohm Semiconductor RJ1G12BGNTLLDKR-ND RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 40V 120A LPTL 772 - Sofort Verfügbar: 772 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 120 A (Tc) 4,5V, 10V 1,86mOhm bei 50A, 10V 2,5V bei 2mA 165nC @ 10V ±20V 12500pF @ 20V
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178W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTL TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
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10:41:03 10.24.2021