RGT8TM65DGC9 IGBT Trench Feldstopp 650V 5A 16W Durchkontaktierung TO-220NFM
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RGT8TM65DGC9

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer RGT8TM65DGC9-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer RGT8TM65DGC9
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Beschreibung FIELD STOP TRENCH IGBT
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Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Detaillierte Beschreibung

IGBT Trench Feldstopp 650V 5A 16W Durchkontaktierung TO-220NFM

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Kundenreferenz
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Datenblätter RGT8TM65D
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Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
IGBT-Typ Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A
Strom - Gepulst, Kollektor (Icm) 12A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,1V bei 15V, 4A
Leistung - Max. 16W
Schaltenergie -
Eingangstyp Standard
Gate-Ladung 13,5nC
Td (on/off) bei 25°C 17ns/69ns
Testbedingung 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr) 40ns
Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220NFM
Basis der Teilenummer RGT8TM65
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1.000