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Transistoren - IGBTs - Einzeln

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RGT40NS65DGTL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente IGBT-Typ Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) Strom - Kollektor (Ic) (max.) Strom - Gepulst, Kollektor (Icm) Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic Leistung - Max. Schaltenergie Eingangstyp Gate-Ladung Td (on/off) bei 25°C Testbedingung Umkehrerholungszeit (trr) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäuse / Hülle Gehäusetyp vom Lieferanten
   
RGT40NS65DGTL Datasheet RGT40NS65DGTL - Rohm Semiconductor RGT40NS65DGTLTR-ND RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 40A 161W TO-263S 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 17 Wochen
0,95653 € 1.000 Minimum : 1.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv Trench Feldstopp 650V 40A 60A 2,1V bei 15V, 20A 161W
-
Standard 40nC 22ns/75ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V 58ns -40°C bis 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB LPDS
RGT40NS65DGTL Datasheet RGT40NS65DGTL - Rohm Semiconductor RGT40NS65DGTLCT-ND RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 40A 161W TO-263S 833 - Sofort Verfügbar: 833 1,94000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Trench Feldstopp 650V 40A 60A 2,1V bei 15V, 20A 161W
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Standard 40nC 22ns/75ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V 58ns -40°C bis 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB LPDS
RGT40NS65DGTL Datasheet RGT40NS65DGTL - Rohm Semiconductor RGT40NS65DGTLDKR-ND RGT40NS65DGTL Rohm Semiconductor IGBT 650V 40A 161W TO-263S 833 - Sofort Verfügbar: 833 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Trench Feldstopp 650V 40A 60A 2,1V bei 15V, 20A 161W
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Standard 40nC 22ns/75ns 400V, 20A, 10Ohm, 15V 58ns -40°C bis 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB LPDS
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17:08:13 6.18.2021