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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RF4L055GNTCR
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RF4L055GNTCR Datasheet RF4L055GNTCR - Rohm Semiconductor RF4L055GNTCRTR-ND RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8 0 Verfügbar: 0 €0,30294 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 5,5 A (Ta) 4,5V, 10V 43mOhm bei 5,5A, 10V 2,7V bei 1mA 7,8nC @ 10V ±20V 400pF @ 30V
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2W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage HUML2020L8 8-PowerUDFN
RF4L055GNTCR Datasheet RF4L055GNTCR - Rohm Semiconductor RF4L055GNTCRCT-ND RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8 2.750 - Sofort Verfügbar: 2.750 €0,78000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 5,5 A (Ta) 4,5V, 10V 43mOhm bei 5,5A, 10V 2,7V bei 1mA 7,8nC @ 10V ±20V 400pF @ 30V
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2W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage HUML2020L8 8-PowerUDFN
RF4L055GNTCR Datasheet RF4L055GNTCR - Rohm Semiconductor RF4L055GNTCRDKR-ND RF4L055GNTCR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8 2.750 - Sofort Verfügbar: 2.750 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 5,5 A (Ta) 4,5V, 10V 43mOhm bei 5,5A, 10V 2,7V bei 1mA 7,8nC @ 10V ±20V 400pF @ 30V
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2W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage HUML2020L8 8-PowerUDFN
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