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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RD3U060CNTL1
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente Typ FET Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RD3U060CNTL1 Datasheet RD3U060CNTL1 - Rohm Semiconductor RD3U060CNTL1TR-ND RD3U060CNTL1 NCH 250V 6A POWER MOSFET 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,50780 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 250V 6 A (Tc) 10V 530mOhm bei 3A, 10V 5V bei 1mA 15nC @ 10V ±30V 840pF @ 25V
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52W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3U060CNTL1 Datasheet RD3U060CNTL1 - Rohm Semiconductor RD3U060CNTL1CT-ND RD3U060CNTL1 NCH 250V 6A POWER MOSFET 2.375 - Sofort Verfügbar: 2.375 1,17000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 250V 6 A (Tc) 10V 530mOhm bei 3A, 10V 5V bei 1mA 15nC @ 10V ±30V 840pF @ 25V
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52W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3U060CNTL1 Datasheet RD3U060CNTL1 - Rohm Semiconductor RD3U060CNTL1DKR-ND RD3U060CNTL1 NCH 250V 6A POWER MOSFET 2.375 - Sofort Verfügbar: 2.375 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 250V 6 A (Tc) 10V 530mOhm bei 3A, 10V 5V bei 1mA 15nC @ 10V ±30V 840pF @ 25V
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52W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
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22:09:45 6.2.2020