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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RD3U040CNTL1
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RD3U040CNTL1 Datasheet RD3U040CNTL1 - Rohm Semiconductor RD3U040CNTL1TR-ND RD3U040CNTL1 NCH 250V 4A POWER MOSFET 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,43493 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 250V 4 A (Tc) 10V 1,3Ohm bei 2A, 10V 5,5V bei 1mA 8,5nC @ 10V ±30V 350pF @ 25V
-
29W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3U040CNTL1 Datasheet RD3U040CNTL1 - Rohm Semiconductor RD3U040CNTL1CT-ND RD3U040CNTL1 NCH 250V 4A POWER MOSFET 11 - Sofort Verfügbar: 11 1,00000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 250V 4 A (Tc) 10V 1,3Ohm bei 2A, 10V 5,5V bei 1mA 8,5nC @ 10V ±30V 350pF @ 25V
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29W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3U040CNTL1 Datasheet RD3U040CNTL1 - Rohm Semiconductor RD3U040CNTL1DKR-ND RD3U040CNTL1 NCH 250V 4A POWER MOSFET 11 - Sofort Verfügbar: 11 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 250V 4 A (Tc) 10V 1,3Ohm bei 2A, 10V 5,5V bei 1mA 8,5nC @ 10V ±30V 350pF @ 25V
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29W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
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13:44:14 8.12.2020