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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RD3P130SPTL1
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RD3P130SPTL1 Datasheet RD3P130SPTL1 - Rohm Semiconductor RD3P130SPTL1TR-ND RD3P130SPTL1 PCH -100V -13A POWER MOSFET 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,61904 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 100V 13 A (Ta) 4V, 10V 200mOhm bei 6,5A, 10V 2,5V bei 1mA 40nC @ 10V ±20V 2400pF @ 25V
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20W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3P130SPTL1 Datasheet RD3P130SPTL1 - Rohm Semiconductor RD3P130SPTL1CT-ND RD3P130SPTL1 PCH -100V -13A POWER MOSFET 1.907 - Sofort Verfügbar: 1.907 1,32000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 100V 13 A (Ta) 4V, 10V 200mOhm bei 6,5A, 10V 2,5V bei 1mA 40nC @ 10V ±20V 2400pF @ 25V
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20W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3P130SPTL1 Datasheet RD3P130SPTL1 - Rohm Semiconductor RD3P130SPTL1DKR-ND RD3P130SPTL1 PCH -100V -13A POWER MOSFET 1.907 - Sofort Verfügbar: 1.907 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 100V 13 A (Ta) 4V, 10V 200mOhm bei 6,5A, 10V 2,5V bei 1mA 40nC @ 10V ±20V 2400pF @ 25V
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20W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
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12:08:03 8.14.2020