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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RD3H080SPTL1
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RD3H080SPTL1 Datasheet RD3H080SPTL1 - Rohm Semiconductor RD3H080SPTL1TR-ND RD3H080SPTL1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 45V 8A TO252 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
0,40890 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 45V 8 A (Ta) 4V, 10V 91mOhm bei 8A, 10V 3V bei 1mA 9nC @ 5V ±20V 1000pF @ 10V
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15W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3H080SPTL1 Datasheet RD3H080SPTL1 - Rohm Semiconductor RD3H080SPTL1CT-ND RD3H080SPTL1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 45V 8A TO252 3.424 - Sofort Verfügbar: 3.424 0,96000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 45V 8 A (Ta) 4V, 10V 91mOhm bei 8A, 10V 3V bei 1mA 9nC @ 5V ±20V 1000pF @ 10V
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15W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
RD3H080SPTL1 Datasheet RD3H080SPTL1 - Rohm Semiconductor RD3H080SPTL1DKR-ND RD3H080SPTL1 Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 45V 8A TO252 3.424 - Sofort Verfügbar: 3.424 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
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Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 45V 8 A (Ta) 4V, 10V 91mOhm bei 8A, 10V 3V bei 1mA 9nC @ 5V ±20V 1000pF @ 10V
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15W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
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17:07:43 6.18.2021