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RCX080N25 N-Kanal 250V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
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RCX080N25

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer RCX080N25-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer RCX080N25
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Beschreibung MOSFET N-CH 250V 8A TO220
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Standardlieferzeit des Herstellers 16 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 250V 8 A (Tc) 2,23W (Ta), 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM

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Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Lose im Beutel 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max.) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 840pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,23W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FM
Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Wird oft zusammen gekauft
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 500
Andere Namen RCX080N25CT
RCX080N25CT-ND