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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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RCJ220N25TL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
RCJ220N25TL Datasheet RCJ220N25TL - Rohm Semiconductor RCJ220N25TLTR-ND RCJ220N25TL MOSFET N-CH 250V 22A LPTS 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
1,00224 € 1.000 Minimum : 1.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 250V 22 A (Tc) 10V 140mOhm bei 11A, 10V 5V bei 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V
-
1,56W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
RCJ220N25TL Datasheet RCJ220N25TL - Rohm Semiconductor RCJ220N25TLCT-ND RCJ220N25TL MOSFET N-CH 250V 22A LPTS 217 - Sofort Verfügbar: 217 2,11000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 250V 22 A (Tc) 10V 140mOhm bei 11A, 10V 5V bei 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V
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1,56W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
RCJ220N25TL Datasheet RCJ220N25TL - Rohm Semiconductor RCJ220N25TLDKR-ND RCJ220N25TL MOSFET N-CH 250V 22A LPTS 217 - Sofort Verfügbar: 217 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 250V 22 A (Tc) 10V 140mOhm bei 11A, 10V 5V bei 1mA 60nC @ 10V ±30V 3200pF @ 25V
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1,56W (Ta), 40W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
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13:03:12 11.28.2020