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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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R8001CND3FRATL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
R8001CND3FRATL Datasheet Photo Not Available 846-R8001CND3FRATLTR-ND
R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 800V 1A TO252 2.500 - Sofort Verfügbar: 2.500 0,86064 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 800V 1 A (Tc) 10V 8,7Ohm bei 500mA, 10V 5,5V bei 1mA 7,2nC @ 10V ±30V 60pF @ 25V
-
36W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
R8001CND3FRATL Datasheet Photo Not Available 846-R8001CND3FRATLCT-ND
R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 800V 1A TO252 2.500 - Sofort Verfügbar: 2.500 1,86000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 800V 1 A (Tc) 10V 8,7Ohm bei 500mA, 10V 5,5V bei 1mA 7,2nC @ 10V ±30V 60pF @ 25V
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36W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
R8001CND3FRATL Datasheet Photo Not Available 846-R8001CND3FRATLDKR-ND
R8001CND3FRATL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 800V 1A TO252 2.500 - Sofort Verfügbar: 2.500 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 800V 1 A (Tc) 10V 8,7Ohm bei 500mA, 10V 5,5V bei 1mA 7,2nC @ 10V ±30V 60pF @ 25V
-
36W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252 TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
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15:27:58 6.18.2021