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R6030ENX N-Kanal 600V 30 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM
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10 3,70800 €37,08
25 3,50040 €87,51
100 3,00020 €300,02
500 2,66682 €1.333,41
1.000 2,28347 €2.283,47
2.500 2,19710 €5.492,75

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R6030ENX

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer R6030ENX-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer R6030ENX
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Beschreibung MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
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Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 600V 30 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FM

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Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Lose im Beutel 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 130mOhm bei 14,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 85nC @ 10V
Vgs (Max.) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2100pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FM
Gehäuse / Hülle TO-220-3 voller Pack
Basis der Teilenummer R6030
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Wird oft zusammen gekauft
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 500
Andere Namen R6030ENXCT
R6030ENXCT-ND