R6025JNZ4C13 N-Kanal 600V 25 A (Tc) 306W (Tc) Durchkontaktierung TO-247G
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R6025JNZ4C13

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer R6025JNZ4C13-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer R6025JNZ4C13
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Beschreibung MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
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Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 600V 25 A (Tc) 306W (Tc) Durchkontaktierung TO-247G

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter R6025JNZ4
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 182 mOhm bei 12,5A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id 7V bei 4,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 57nC @ 15V
Vgs (Max.) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1900pF @ 100V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 306W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247G
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Basis der Teilenummer R6025
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 600