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R6020KNZ4C13 N-Kanal 600V 20 A (Tc) 231W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
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R6020KNZ4C13

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 846-R6020KNZ4C13-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer R6020KNZ4C13
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Beschreibung MOSFET N-CH 600V 20A TO247
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Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 600V 20 A (Tc) 231W (Tc) Durchkontaktierung TO-247

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter R6020KNZ4
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Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 196mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1550pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 231W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Gehäuse / Hülle TO-247-3
Basis der Teilenummer R6020
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 600
Andere Namen 846-R6020KNZ4C13