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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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R6020KNJTL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
R6020KNJTL Datasheet R6020KNJTL - Rohm Semiconductor R6020KNJTLTR-ND R6020KNJTL NCH 600V 20A POWER MOSFET 3.000 - Sofort Verfügbar: 3.000 1,27259 € 1.000 Minimum : 1.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 20 A (Tc) 10V 196mOhm bei 9,5A, 10V 5V bei 1mA 40nC @ 10V ±20V 1550pF @ 25V
-
231W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
R6020KNJTL Datasheet R6020KNJTL - Rohm Semiconductor R6020KNJTLCT-ND R6020KNJTL NCH 600V 20A POWER MOSFET 4.000 - Sofort Verfügbar: 4.000 2,46000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 20 A (Tc) 10V 196mOhm bei 9,5A, 10V 5V bei 1mA 40nC @ 10V ±20V 1550pF @ 25V
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231W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
R6020KNJTL Datasheet R6020KNJTL - Rohm Semiconductor R6020KNJTLDKR-ND R6020KNJTL NCH 600V 20A POWER MOSFET 4.000 - Sofort Verfügbar: 4.000 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 20 A (Tc) 10V 196mOhm bei 9,5A, 10V 5V bei 1mA 40nC @ 10V ±20V 1550pF @ 25V
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231W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
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08:25:29 10.26.2020