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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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R6020JNJGTL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
R6020JNJGTL Datasheet R6020JNJGTL - Rohm Semiconductor R6020JNJGTLTR-ND R6020JNJGTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A LPTS 1.000 - Sofort Verfügbar: 1.000 €2,04102 1.000 Minimum : 1.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 20 A (Tc) 15V 234 mOhm bei 10A, 15V 7V bei 3,5mA 45nC @ 15V ±30V 1500pF @ 100V
-
252W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
R6020JNJGTL Datasheet R6020JNJGTL - Rohm Semiconductor R6020JNJGTLCT-ND R6020JNJGTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A LPTS 1.043 - Sofort Verfügbar: 1.043 €3,87000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 20 A (Tc) 15V 234 mOhm bei 10A, 15V 7V bei 3,5mA 45nC @ 15V ±30V 1500pF @ 100V
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252W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
R6020JNJGTL Datasheet R6020JNJGTL - Rohm Semiconductor R6020JNJGTLDKR-ND R6020JNJGTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A LPTS 1.043 - Sofort Verfügbar: 1.043 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 20 A (Tc) 15V 234 mOhm bei 10A, 15V 7V bei 3,5mA 45nC @ 15V ±30V 1500pF @ 100V
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252W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
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09:20:37 10.18.2021