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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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R6011ENJTL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
R6011ENJTL Datasheet R6011ENJTL - Rohm Semiconductor R6011ENJTLTR-ND R6011ENJTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 11A LPTS 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 18 Wochen
1,52209 € 1.000 Minimum : 1.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 11 A (Tc) 10V 390mOhm bei 3,8A, 10V 4V bei 1mA 32nC @ 10V ±20V 670pF @ 25V
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40W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
R6011ENJTL Datasheet R6011ENJTL - Rohm Semiconductor R6011ENJTLCT-ND R6011ENJTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 11A LPTS 445 - Sofort Verfügbar: 445 2,88000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 11 A (Tc) 10V 390mOhm bei 3,8A, 10V 4V bei 1mA 32nC @ 10V ±20V 670pF @ 25V
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40W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
R6011ENJTL Datasheet R6011ENJTL - Rohm Semiconductor R6011ENJTLDKR-ND R6011ENJTL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 600V 11A LPTS 445 - Sofort Verfügbar: 445 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 11 A (Tc) 10V 390mOhm bei 3,8A, 10V 4V bei 1mA 32nC @ 10V ±20V 670pF @ 25V
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40W (Tc) 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
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15:09:49 6.18.2021