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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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R6007JNJGTL
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
R6007JNJGTL Datasheet R6007JNJGTL - Rohm Semiconductor R6007JNJGTLTR-ND R6007JNJGTL R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH 1.000 - Sofort Verfügbar: 1.000 0,94373 € 1.000 Minimum : 1.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 7 A (Tc) 15V 780 mOhm bei 3,5A, 15V 7V bei 1mA 17,5nC @ 15V ±30V 475pF @ 100V
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96W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
R6007JNJGTL Datasheet R6007JNJGTL - Rohm Semiconductor R6007JNJGTLCT-ND R6007JNJGTL R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH 1.100 - Sofort Verfügbar: 1.100 1,99000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 7 A (Tc) 15V 780 mOhm bei 3,5A, 15V 7V bei 1mA 17,5nC @ 15V ±30V 475pF @ 100V
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96W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
R6007JNJGTL Datasheet R6007JNJGTL - Rohm Semiconductor R6007JNJGTLDKR-ND R6007JNJGTL R6007JNJ IS A POWER MOSFET WITH 1.100 - Sofort Verfügbar: 1.100 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 600V 7 A (Tc) 15V 780 mOhm bei 3,5A, 15V 7V bei 1mA 17,5nC @ 15V ±30V 475pF @ 100V
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96W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage LPTS TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
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07:44:34 10.26.2020