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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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QH8MA3TCR
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ FET-Merkmal Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds Leistung - Max. Betriebstemperatur Montagetyp Gehäuse / Hülle Gehäusetyp vom Lieferanten
   
QH8MA3TCR Datasheet QH8MA3TCR - Rohm Semiconductor QH8MA3TCRTR-ND QH8MA3TCR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
€0,23261 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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-
Aktiv N- und P-Kanal Standard 30V 7 A, 5,5 A 29mOhm bei 7A, 10V 2,5V bei 1mA 7,2nC bei 10V 300pF bei 15V 1,5W 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SMD, flacher Anschluss TSMT8
QH8MA3TCR Datasheet QH8MA3TCR - Rohm Semiconductor QH8MA3TCRCT-ND QH8MA3TCR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 2 - Sofort Verfügbar: 2 €0,60000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N- und P-Kanal Standard 30V 7 A, 5,5 A 29mOhm bei 7A, 10V 2,5V bei 1mA 7,2nC bei 10V 300pF bei 15V 1,5W 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SMD, flacher Anschluss TSMT8
QH8MA3TCR Datasheet QH8MA3TCR - Rohm Semiconductor QH8MA3TCRDKR-ND QH8MA3TCR Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 2 - Sofort Verfügbar: 2 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N- und P-Kanal Standard 30V 7 A, 5,5 A 29mOhm bei 7A, 10V 2,5V bei 1mA 7,2nC bei 10V 300pF bei 15V 1,5W 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SMD, flacher Anschluss TSMT8
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23:50:33 9.21.2021