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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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QH8M22TCR
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ FET-Merkmal Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds Leistung - Max. Betriebstemperatur Montagetyp Gehäuse / Hülle Gehäusetyp vom Lieferanten
   
QH8M22TCR Datasheet QH8M22TCR - Rohm Semiconductor QH8M22TCRTR-ND QH8M22TCR Rohm Semiconductor QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T 9.000 - Sofort Verfügbar: 9.000 €0,42716 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv N- und P-Kanal Standard 40V 4,5A (Ta), 2A (Ta) 46mOhm bei 4,5A, 10V, 190mOhm bei 2A, 10V 2,5V bei 10µA, 3V bei 1mA 2,6nC, 9,5nC bei 10V 193pF, 450pF bei 20V 1,1W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SMD, flacher Anschluss TSMT8
QH8M22TCR Datasheet QH8M22TCR - Rohm Semiconductor QH8M22TCRCT-ND QH8M22TCR Rohm Semiconductor QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T 11.080 - Sofort Verfügbar: 11.080 €1,01000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv N- und P-Kanal Standard 40V 4,5A (Ta), 2A (Ta) 46mOhm bei 4,5A, 10V, 190mOhm bei 2A, 10V 2,5V bei 10µA, 3V bei 1mA 2,6nC, 9,5nC bei 10V 193pF, 450pF bei 20V 1,1W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SMD, flacher Anschluss TSMT8
QH8M22TCR Datasheet QH8M22TCR - Rohm Semiconductor QH8M22TCRDKR-ND QH8M22TCR Rohm Semiconductor QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T 11.080 - Sofort Verfügbar: 11.080 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N- und P-Kanal Standard 40V 4,5A (Ta), 2A (Ta) 46mOhm bei 4,5A, 10V, 190mOhm bei 2A, 10V 2,5V bei 10µA, 3V bei 1mA 2,6nC, 9,5nC bei 10V 193pF, 450pF bei 20V 1,1W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SMD, flacher Anschluss TSMT8
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11:11:12 10.24.2021