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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung

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EMG3T2R
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente Transistor-Typ Strom - Kollektor (Ic) (max.) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) Widerstand - Basis (R1) Widerstand - Emitter-Basis (R2) Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.) Frequenz - Übergang Leistung - Max. Montagetyp Gehäuse / Hülle Gehäusetyp vom Lieferanten
   
EMG3T2R Datasheet EMG3T2R - Rohm Semiconductor 846-EMG3T2RTR-ND EMG3T2R TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 8.000 - Sofort Verfügbar: 8.000 0,05660 € 8.000 Minimum : 8.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv 2 NPN - vorgespannt (zweif.) 100mA 50V 4,7kOhm
-
100 bei 1mA, 5V 150mV bei 250µA, 5mA 500 nA (ICBO) 250MHz 150mW Oberflächenmontage SC-75, SOT-416 EMT3
EMG3T2R Datasheet EMG3T2R - Rohm Semiconductor 846-EMG3T2RCT-ND EMG3T2R TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 8.000 - Sofort Verfügbar: 8.000 0,33000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv 2 NPN - vorgespannt (zweif.) 100mA 50V 4,7kOhm
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100 bei 1mA, 5V 150mV bei 250µA, 5mA 500 nA (ICBO) 250MHz 150mW Oberflächenmontage SC-75, SOT-416 EMT3
EMG3T2R Datasheet EMG3T2R - Rohm Semiconductor 846-EMG3T2RDKR-ND EMG3T2R TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 8.000 - Sofort Verfügbar: 8.000 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv 2 NPN - vorgespannt (zweif.) 100mA 50V 4,7kOhm
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100 bei 1mA, 5V 150mV bei 250µA, 5mA 500 nA (ICBO) 250MHz 150mW Oberflächenmontage SC-75, SOT-416 EMT3
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