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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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BSS84XHZGG2CR
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EUR
Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
BSS84XHZGG2CR Datasheet BSS84XHZGG2CR - Rohm Semiconductor 846-BSS84XHZGG2CRTR-ND
BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 16 Wochen
€0,15180 8.000 Minimum : 8.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 230mA (Ta)
-
5,3Ohm bei 230mA, 10V 2,5V bei 100µA
-
±20V 34pF @ 30V
-
1W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage DFN1010-3W 3-XFDFN
BSS84XHZGG2CR Datasheet BSS84XHZGG2CR - Rohm Semiconductor 846-BSS84XHZGG2CRCT-ND
BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W 6.555 - Sofort Verfügbar: 6.555 €0,46000 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 230mA (Ta)
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5,3Ohm bei 230mA, 10V 2,5V bei 100µA
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±20V 34pF @ 30V
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1W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage DFN1010-3W 3-XFDFN
BSS84XHZGG2CR Datasheet BSS84XHZGG2CR - Rohm Semiconductor 846-BSS84XHZGG2CRDKR-ND
BSS84XHZGG2CR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W 6.555 - Sofort Verfügbar: 6.555 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
Automotive, AEC-Q101 Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 230mA (Ta)
-
5,3Ohm bei 230mA, 10V 2,5V bei 100µA
-
±20V 34pF @ 30V
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1W (Ta) 150°C (TJ) Oberflächenmontage DFN1010-3W 3-XFDFN
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