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PMIC - Gate-Treiber

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IXDN609SITR Datasheet IXDN609SITR - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SITR-ND IXDN609SITR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 4.000 - Sofort Verfügbar: 4.000 1,08373 € 2.000 Minimum : 2.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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-
Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET 4,5V bis 35V 0,8V, 3V 9A, 9A Nicht invertierend
-
22ns, 15ns -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) mit freiliegendem Pad 8-SOIC-EP
IXDN609SITR Datasheet IXDN609SITR - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SICT-ND IXDN609SITR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 5.254 - Sofort Verfügbar: 5.254 2,42000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET 4,5V bis 35V 0,8V, 3V 9A, 9A Nicht invertierend
-
22ns, 15ns -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) mit freiliegendem Pad 8-SOIC-EP
IXDN609SITR Datasheet IXDN609SITR - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SIDKR-ND IXDN609SITR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 5.254 - Sofort Verfügbar: 5.254 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET 4,5V bis 35V 0,8V, 3V 9A, 9A Nicht invertierend
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22ns, 15ns -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) mit freiliegendem Pad 8-SOIC-EP
IXDN609SI Datasheet IXDN609SI - IXYS Integrated Circuits Division CLA364-ND IXDN609SI IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 2.453 - Sofort Verfügbar: 2.453 2,42000 € 1 Minimum : 1 Stange
-
Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET 4,5V bis 35V 0,8V, 3V 9A, 9A Nicht invertierend
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22ns, 15ns -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) mit freiliegendem Pad 8-SOIC-EP
IXDN609SIATR Datasheet IXDN609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division 212-IXDN609SIATR-ND IXDN609SIATR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 2.000 - Sofort Verfügbar: 2.000 0,64563 € 2.000 Minimum : 2.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET 4,5V bis 35V 0,8V, 3V 9A, 9A Nicht invertierend
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22ns, 15ns -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IXDN609SIATR Datasheet IXDN609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division 212-IXDN609SIACT-ND IXDN609SIATR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 4.064 - Sofort Verfügbar: 4.064 1,44000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET 4,5V bis 35V 0,8V, 3V 9A, 9A Nicht invertierend
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22ns, 15ns -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IXDN609SIATR Datasheet IXDN609SIATR - IXYS Integrated Circuits Division 212-IXDN609SIADKR-ND IXDN609SIATR IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 4.064 - Sofort Verfügbar: 4.064 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET 4,5V bis 35V 0,8V, 3V 9A, 9A Nicht invertierend
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22ns, 15ns -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IXDN609SIA Datasheet IXDN609SIA - IXYS Integrated Circuits Division IXDN609SIA-ND IXDN609SIA IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 1.017 - Sofort Verfügbar: 1.017 1,44000 € 1 Minimum : 1 Stange
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-, P-Kanal-MOSFET 4,5V bis 35V 0,8V, 3V 9A, 9A Nicht invertierend
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22ns, 15ns -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
UCC27532DBVT Datasheet UCC27532DBVT - Texas Instruments 296-35773-2-ND UCC27532DBVT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 250 - Sofort Verfügbar: 250 0,63024 € 250 Minimum : 250 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 32V 1,2V, 1,7V 2,5A, 5A Nicht invertierend
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15ns, 7ns -40°C bis 140°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-6 SOT-23-6
UCC27532DBVT Datasheet UCC27532DBVT - Texas Instruments 296-35773-1-ND UCC27532DBVT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 411 - Sofort Verfügbar: 411 1,10000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 32V 1,2V, 1,7V 2,5A, 5A Nicht invertierend
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15ns, 7ns -40°C bis 140°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-6 SOT-23-6
UCC27532DBVT Datasheet UCC27532DBVT - Texas Instruments 296-35773-6-ND UCC27532DBVT IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 411 - Sofort Verfügbar: 411 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 32V 1,2V, 1,7V 2,5A, 5A Nicht invertierend
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15ns, 7ns -40°C bis 140°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-6 SOT-23-6
UCC27532DBVR Datasheet UCC27532DBVR - Texas Instruments 296-41045-2-ND UCC27532DBVR IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 0 Verfügbar: 0
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 32V 1,2V, 1,7V 2,5A, 5A Nicht invertierend
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15ns, 7ns -40°C bis 140°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-6 SOT-23-6
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