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PMIC - Gate-Treiber

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IRS2301SPBF Datasheet IRS2301SPBF - Infineon Technologies IRS2301SPBF-ND IRS2301SPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 38.335 - Sofort Verfügbar: 38.335 1,29000 € 1 Minimum : 1 Stange
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 5V bis 20V 0,8V, 2,5V 200 mA, 350 mA Nicht invertierend 600V 130ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFTR-ND IRS44273LTRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 3.000 - Sofort Verfügbar: 3.000 0,31011 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
µHVIC™ Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10,2V bis 20V 0,8V, 2,5V 1,5A, 1,5A Nicht invertierend
-
25ns, 25ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFCT-ND IRS44273LTRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 3.296 - Sofort Verfügbar: 3.296 0,76000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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µHVIC™ Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10,2V bis 20V 0,8V, 2,5V 1,5A, 1,5A Nicht invertierend
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25ns, 25ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IRS44273LTRPBF Datasheet IRS44273LTRPBF - Infineon Technologies IRS44273LTRPBFDKR-ND IRS44273LTRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5 3.296 - Sofort Verfügbar: 3.296 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
µHVIC™ Aktiv Niedrige Seite Einzeln 1 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10,2V bis 20V 0,8V, 2,5V 1,5A, 1,5A Nicht invertierend
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25ns, 25ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 SOT-23-5
IR4427STRPBF Datasheet IR4427STRPBF - Infineon Technologies IR4427SPBFTR-ND IR4427STRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 225.000 - Sofort Verfügbar: 225.000 0,49029 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 6V bis 20V 0,8V, 2,7V 2,3 A, 3,3 A Nicht invertierend
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15ns, 10ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR4427STRPBF Datasheet IR4427STRPBF - Infineon Technologies IR4427SPBFCT-ND IR4427STRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 225.522 - Sofort Verfügbar: 225.522 1,22000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 6V bis 20V 0,8V, 2,7V 2,3 A, 3,3 A Nicht invertierend
-
15ns, 10ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR4427STRPBF Datasheet IR4427STRPBF - Infineon Technologies IR4427SPBFDKR-ND IR4427STRPBF IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC 225.522 - Sofort Verfügbar: 225.522 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Niedrige Seite Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 6V bis 20V 0,8V, 2,7V 2,3 A, 3,3 A Nicht invertierend
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15ns, 10ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2101STRPBF Datasheet IR2101STRPBF - Infineon Technologies IR2101SPBFTR-ND IR2101STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 4.639 - Sofort Verfügbar: 4.639 0,60674 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 3V 210 mA, 360 mA Nicht invertierend 600V 100ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2101STRPBF Datasheet IR2101STRPBF - Infineon Technologies IR2101SPBFCT-ND IR2101STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 4.639 - Sofort Verfügbar: 4.639 1,50000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 3V 210 mA, 360 mA Nicht invertierend 600V 100ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2101STRPBF Datasheet IR2101STRPBF - Infineon Technologies IR2101SPBFDKR-ND IR2101STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 4.639 - Sofort Verfügbar: 4.639 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 3V 210 mA, 360 mA Nicht invertierend 600V 100ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2104STRPBF Datasheet IR2104STRPBF - Infineon Technologies IR2104SPBFTR-ND IR2104STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 2.500 - Sofort Verfügbar: 2.500 0,65894 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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Aktiv Halbbrücke Synchron 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 3V 210 mA, 360 mA Nicht invertierend 600V 100ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2104STRPBF Datasheet IR2104STRPBF - Infineon Technologies IR2104SPBFCT-ND IR2104STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 4.038 - Sofort Verfügbar: 4.038 1,49000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
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Aktiv Halbbrücke Synchron 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 3V 210 mA, 360 mA Nicht invertierend 600V 100ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2104STRPBF Datasheet IR2104STRPBF - Infineon Technologies IR2104SPBFDKR-ND IR2104STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 4.038 - Sofort Verfügbar: 4.038 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Synchron 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 3V 210 mA, 360 mA Nicht invertierend 600V 100ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2103STRPBF Datasheet IR2103STRPBF - Infineon Technologies IR2103SPBFTR-ND IR2103STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 5.000 - Sofort Verfügbar: 5.000 0,59305 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 3V 210 mA, 360 mA Invertierend, Nicht invertierend 600V 100ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2103STRPBF Datasheet IR2103STRPBF - Infineon Technologies IR2103SPBFCT-ND IR2103STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 5.929 - Sofort Verfügbar: 5.929 1,35000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 3V 210 mA, 360 mA Invertierend, Nicht invertierend 600V 100ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2103STRPBF Datasheet IR2103STRPBF - Infineon Technologies IR2103SPBFDKR-ND IR2103STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 5.929 - Sofort Verfügbar: 5.929 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 3V 210 mA, 360 mA Invertierend, Nicht invertierend 600V 100ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2301STRPBF Datasheet IR2301STRPBF - Infineon Technologies IR2301SPBFTR-ND IR2301STRPBF IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC 2.500 - Sofort Verfügbar: 2.500 0,71825 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv High-Side oder Low-Side Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 5V bis 20V 0,8V, 2,9V 200 mA, 350 mA Nicht invertierend 600V 130ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2301STRPBF Datasheet IR2301STRPBF - Infineon Technologies IR2301SPBFCT-ND IR2301STRPBF IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC 2.839 - Sofort Verfügbar: 2.839 1,63000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv High-Side oder Low-Side Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 5V bis 20V 0,8V, 2,9V 200 mA, 350 mA Nicht invertierend 600V 130ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IR2301STRPBF Datasheet IR2301STRPBF - Infineon Technologies IR2301SPBFDKR-ND IR2301STRPBF IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC 2.839 - Sofort Verfügbar: 2.839 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv High-Side oder Low-Side Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 5V bis 20V 0,8V, 2,9V 200 mA, 350 mA Nicht invertierend 600V 130ns, 50ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IRS21867STRPBF Datasheet IRS21867STRPBF - Infineon Technologies IRS21867STRPBFTR-ND IRS21867STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 7.500 - Sofort Verfügbar: 7.500 0,76126 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 2,5V 4A, 4A CMOS, TTL 600V 22ns, 18ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IRS21867STRPBF Datasheet IRS21867STRPBF - Infineon Technologies IRS21867STRPBFCT-ND IRS21867STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 8.528 - Sofort Verfügbar: 8.528 1,72000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 2,5V 4A, 4A CMOS, TTL 600V 22ns, 18ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IRS21867STRPBF Datasheet IRS21867STRPBF - Infineon Technologies IRS21867STRPBFDKR-ND IRS21867STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 8.528 - Sofort Verfügbar: 8.528 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 IGBT, N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,8V, 2,5V 4A, 4A CMOS, TTL 600V 22ns, 18ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IRS2011STRPBF Datasheet IRS2011STRPBF - Infineon Technologies IRS2011STRPBFTR-ND IRS2011STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 2.500 - Sofort Verfügbar: 2.500 0,71102 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,7V, 2,5V 1A, 1A Invertierend 200V 25ns, 15ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IRS2011STRPBF Datasheet IRS2011STRPBF - Infineon Technologies IRS2011STRPBFCT-ND IRS2011STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 5.996 - Sofort Verfügbar: 5.996 1,62000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,7V, 2,5V 1A, 1A Invertierend 200V 25ns, 15ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
IRS2011STRPBF Datasheet IRS2011STRPBF - Infineon Technologies IRS2011STRPBFDKR-ND IRS2011STRPBF IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 5.996 - Sofort Verfügbar: 5.996 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv Halbbrücke Unabhängig 2 N-Kanal-MOSFET 10V bis 20V 0,7V, 2,5V 1A, 1A Invertierend 200V 25ns, 15ns -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
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