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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
IRLML5103TRPBF Datasheet IRLML5103TRPBF - Infineon Technologies IRLML5103PBFTR-ND IRLML5103TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 84.000 - Sofort Verfügbar: 84.000 0,09605 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 760mA (Ta) 4,5V, 10V 600mOhm bei 600mA, 10V 1V bei 250µA 5,1nC @ 10V ±20V 75pF @ 25V
-
540mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5103TRPBF Datasheet IRLML5103TRPBF - Infineon Technologies IRLML5103PBFCT-ND IRLML5103TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 85.041 - Sofort Verfügbar: 85.041 0,34000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 760mA (Ta) 4,5V, 10V 600mOhm bei 600mA, 10V 1V bei 250µA 5,1nC @ 10V ±20V 75pF @ 25V
-
540mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5103TRPBF Datasheet IRLML5103TRPBF - Infineon Technologies IRLML5103PBFDKR-ND IRLML5103TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 85.041 - Sofort Verfügbar: 85.041 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 760mA (Ta) 4,5V, 10V 600mOhm bei 600mA, 10V 1V bei 250µA 5,1nC @ 10V ±20V 75pF @ 25V
-
540mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFML8244TRPBF Datasheet IRFML8244TRPBF - Infineon Technologies IRFML8244TRPBFTR-ND IRFML8244TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 9.000 - Sofort Verfügbar: 9.000 0,09867 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 25V 5,8 A (Ta) 4,5V, 10V 24mOhm bei 5,8A, 10V 2,35V bei 10µA 5,4nC @ 10V ±20V 430pF @ 10V
-
1,25W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFML8244TRPBF Datasheet IRFML8244TRPBF - Infineon Technologies IRFML8244TRPBFCT-ND IRFML8244TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 11.264 - Sofort Verfügbar: 11.264 0,45000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 25V 5,8 A (Ta) 4,5V, 10V 24mOhm bei 5,8A, 10V 2,35V bei 10µA 5,4nC @ 10V ±20V 430pF @ 10V
-
1,25W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRFML8244TRPBF Datasheet IRFML8244TRPBF - Infineon Technologies IRFML8244TRPBFDKR-ND IRFML8244TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 11.264 - Sofort Verfügbar: 11.264 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 25V 5,8 A (Ta) 4,5V, 10V 24mOhm bei 5,8A, 10V 2,35V bei 10µA 5,4nC @ 10V ±20V 430pF @ 10V
-
1,25W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2803TRPBF Datasheet IRLML2803TRPBF - Infineon Technologies IRLML2803PBFTR-ND IRLML2803TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 12.000 - Sofort Verfügbar: 12.000 0,10011 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 1,2 A (Ta) 4,5V, 10V 250mOhm bei 910mA, 10V 1V bei 250µA 5nC @ 10V ±20V 85pF @ 25V
-
540mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2803TRPBF Datasheet IRLML2803TRPBF - Infineon Technologies IRLML2803PBFCT-ND IRLML2803TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 13.446 - Sofort Verfügbar: 13.446 0,45000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 1,2 A (Ta) 4,5V, 10V 250mOhm bei 910mA, 10V 1V bei 250µA 5nC @ 10V ±20V 85pF @ 25V
-
540mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML2803TRPBF Datasheet IRLML2803TRPBF - Infineon Technologies IRLML2803PBFDKR-ND IRLML2803TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 13.446 - Sofort Verfügbar: 13.446 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 1,2 A (Ta) 4,5V, 10V 250mOhm bei 910mA, 10V 1V bei 250µA 5nC @ 10V ±20V 85pF @ 25V
-
540mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0040TRPBF Datasheet IRLML0040TRPBF - Infineon Technologies IRLML0040TRPBFTR-ND IRLML0040TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23 11.963 - Sofort Verfügbar: 11.963 0,11300 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 3,6 A (Ta) 4,5V, 10V 56mOhm bei 3,6A, 10V 2,5V bei 25µA 3,9nC @ 4,5V ±16V 266pF @ 25V
-
1,3W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0040TRPBF Datasheet IRLML0040TRPBF - Infineon Technologies IRLML0040TRPBFCT-ND IRLML0040TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23 11.963 - Sofort Verfügbar: 11.963 0,40000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 3,6 A (Ta) 4,5V, 10V 56mOhm bei 3,6A, 10V 2,5V bei 25µA 3,9nC @ 4,5V ±16V 266pF @ 25V
-
1,3W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0040TRPBF Datasheet IRLML0040TRPBF - Infineon Technologies IRLML0040TRPBFDKR-ND IRLML0040TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23 11.963 - Sofort Verfügbar: 11.963 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 3,6 A (Ta) 4,5V, 10V 56mOhm bei 3,6A, 10V 2,5V bei 25µA 3,9nC @ 4,5V ±16V 266pF @ 25V
-
1,3W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0060TRPBF Datasheet IRLML0060TRPBF - Infineon Technologies IRLML0060TRPBFTR-ND IRLML0060TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 56.003 - Sofort Verfügbar: 56.003 0,12053 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 2,7 A (Ta) 4,5V, 10V 92mOhm bei 2,7A, 10V 2,5V bei 25µA 2,5nC @ 4,5V ±16V 290pF @ 25V
-
1,25W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0060TRPBF Datasheet IRLML0060TRPBF - Infineon Technologies IRLML0060TRPBFCT-ND IRLML0060TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 56.003 - Sofort Verfügbar: 56.003 0,42000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 2,7 A (Ta) 4,5V, 10V 92mOhm bei 2,7A, 10V 2,5V bei 25µA 2,5nC @ 4,5V ±16V 290pF @ 25V
-
1,25W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0060TRPBF Datasheet IRLML0060TRPBF - Infineon Technologies IRLML0060TRPBFDKR-ND IRLML0060TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 56.003 - Sofort Verfügbar: 56.003 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 2,7 A (Ta) 4,5V, 10V 92mOhm bei 2,7A, 10V 2,5V bei 25µA 2,5nC @ 4,5V ±16V 290pF @ 25V
-
1,25W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLTS2242TRPBF Datasheet IRLTS2242TRPBF - Infineon Technologies IRLTS2242TRPBFTR-ND IRLTS2242TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP 42.000 - Sofort Verfügbar: 42.000 0,13445 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 6,9 A (Ta) 2,5V, 4,5V 32mOhm bei 6,9A, 4,5V 1,1V bei 10µA 12nC @ 4,5V ±12V 905pF @ 10V
-
2W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 6-TSOP SOT-23-6
IRLTS2242TRPBF Datasheet IRLTS2242TRPBF - Infineon Technologies IRLTS2242TRPBFCT-ND IRLTS2242TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP 42.336 - Sofort Verfügbar: 42.336 0,48000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 6,9 A (Ta) 2,5V, 4,5V 32mOhm bei 6,9A, 4,5V 1,1V bei 10µA 12nC @ 4,5V ±12V 905pF @ 10V
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2W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 6-TSOP SOT-23-6
IRLTS2242TRPBF Datasheet IRLTS2242TRPBF - Infineon Technologies IRLTS2242TRPBFDKR-ND IRLTS2242TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP 42.336 - Sofort Verfügbar: 42.336 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 6,9 A (Ta) 2,5V, 4,5V 32mOhm bei 6,9A, 4,5V 1,1V bei 10µA 12nC @ 4,5V ±12V 905pF @ 10V
-
2W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 6-TSOP SOT-23-6
IRF8707TRPBF Datasheet IRF8707TRPBF - Infineon Technologies IRF8707TRPBFTR-ND IRF8707TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 36.000 - Sofort Verfügbar: 36.000 0,14330 € 4.000 Minimum : 4.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 11 A (Ta) 4,5V, 10V 11,9mOhm bei 11A, 10V 2,35V bei 25µA 9,3nC @ 4,5V ±20V 760pF @ 15V
-
2,5W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SO 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
IRF8707TRPBF Datasheet IRF8707TRPBF - Infineon Technologies IRF8707TRPBFCT-ND IRF8707TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 38.582 - Sofort Verfügbar: 38.582 0,41000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 11 A (Ta) 4,5V, 10V 11,9mOhm bei 11A, 10V 2,35V bei 25µA 9,3nC @ 4,5V ±20V 760pF @ 15V
-
2,5W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SO 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
IRF8707TRPBF Datasheet IRF8707TRPBF - Infineon Technologies IRF8707TRPBFDKR-ND IRF8707TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 11A 8SO 38.582 - Sofort Verfügbar: 38.582 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 11 A (Ta) 4,5V, 10V 11,9mOhm bei 11A, 10V 2,35V bei 25µA 9,3nC @ 4,5V ±20V 760pF @ 15V
-
2,5W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SO 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
IRLHS6242TRPBF Datasheet IRLHS6242TRPBF - Infineon Technologies IRLHS6242TRPBFTR-ND IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 104.000 - Sofort Verfügbar: 104.000 0,15983 € 4.000 Minimum : 4.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 10 A (Ta), 12 A (Tc) 2,5V, 4,5V 11,7mOhm bei 8,5A, 4,5V 1,1V bei 10µA 14nC @ 4,5V ±12V 1110pF @ 10V
-
1,98W (Ta), 9,6W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 6-PQFN (2x2) 6-PowerVDFN
IRLHS6242TRPBF Datasheet IRLHS6242TRPBF - Infineon Technologies IRLHS6242TRPBFCT-ND IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 109.999 - Sofort Verfügbar: 109.999 0,49000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 10 A (Ta), 12 A (Tc) 2,5V, 4,5V 11,7mOhm bei 8,5A, 4,5V 1,1V bei 10µA 14nC @ 4,5V ±12V 1110pF @ 10V
-
1,98W (Ta), 9,6W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 6-PQFN (2x2) 6-PowerVDFN
IRLHS6242TRPBF Datasheet IRLHS6242TRPBF - Infineon Technologies IRLHS6242TRPBFDKR-ND IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN 109.999 - Sofort Verfügbar: 109.999 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 10 A (Ta), 12 A (Tc) 2,5V, 4,5V 11,7mOhm bei 8,5A, 4,5V 1,1V bei 10µA 14nC @ 4,5V ±12V 1110pF @ 10V
-
1,98W (Ta), 9,6W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 6-PQFN (2x2) 6-PowerVDFN
IRLMS2002TRPBF Datasheet IRLMS2002TRPBF - Infineon Technologies IRLMS2002PBFTR-ND IRLMS2002TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 33.000 - Sofort Verfügbar: 33.000 0,21407 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 20V 6,5 A (Ta) 2,5V, 4,5V 30mOhm bei 6,5A, 4,5V 1,2V bei 250µA 22nC @ 5V ±12V 1310pF @ 15V
-
2W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro6™(SOT23-6) SOT-23-6
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03:28:13 5.10.2021