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Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
LND150K1-G Datasheet LND150K1-G - Microchip Technology LND150K1-GTR-ND LND150K1-G MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 9.000 - Sofort Verfügbar: 9.000 0,23461 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 500V 13mA (Tj) 0V 1000Ohm bei 500µA, 0V
-
-
±20V 10pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 360mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LND150K1-G Datasheet LND150K1-G - Microchip Technology LND150K1-GCT-ND LND150K1-G MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 11.193 - Sofort Verfügbar: 11.193 0,31000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 500V 13mA (Tj) 0V 1000Ohm bei 500µA, 0V
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±20V 10pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 360mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LND150K1-G Datasheet LND150K1-G - Microchip Technology LND150K1-GDKR-ND LND150K1-G MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 11.193 - Sofort Verfügbar: 11.193 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 500V 13mA (Tj) 0V 1000Ohm bei 500µA, 0V
-
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±20V 10pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 360mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DN3135K1-G Datasheet DN3135K1-G - Microchip Technology DN3135K1-GTR-ND DN3135K1-G MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 3.000 - Sofort Verfügbar: 3.000 0,32678 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 350V 72mA (Tj) 0V 35Ohm bei 150mA, 0V
-
-
±20V 120pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 360mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DN3135K1-G Datasheet DN3135K1-G - Microchip Technology DN3135K1-GCT-ND DN3135K1-G MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 5.897 - Sofort Verfügbar: 5.897 0,43000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 350V 72mA (Tj) 0V 35Ohm bei 150mA, 0V
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±20V 120pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 360mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DN3135K1-G Datasheet DN3135K1-G - Microchip Technology DN3135K1-GDKR-ND DN3135K1-G MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 5.897 - Sofort Verfügbar: 5.897 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 350V 72mA (Tj) 0V 35Ohm bei 150mA, 0V
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±20V 120pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 360mW (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MIC94052YC6-TR Datasheet MIC94052YC6-TR - Microchip Technology 576-2938-2-ND MIC94052YC6-TR MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 14.459 - Sofort Verfügbar: 14.459 0,36197 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 6V 2 A (Ta) 1,8V, 4,5V 84mOhm bei 100mA, 4,5V 1,2V bei 250µA
-
6V
-
-
270mW (Ta) -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SC-70-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MIC94052YC6-TR Datasheet MIC94052YC6-TR - Microchip Technology 576-2938-1-ND MIC94052YC6-TR MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 14.459 - Sofort Verfügbar: 14.459 0,47000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 6V 2 A (Ta) 1,8V, 4,5V 84mOhm bei 100mA, 4,5V 1,2V bei 250µA
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6V
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270mW (Ta) -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SC-70-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MIC94052YC6-TR Datasheet MIC94052YC6-TR - Microchip Technology 576-2938-6-ND MIC94052YC6-TR MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6 14.459 - Sofort Verfügbar: 14.459 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 6V 2 A (Ta) 1,8V, 4,5V 84mOhm bei 100mA, 4,5V 1,2V bei 250µA
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6V
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270mW (Ta) -40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SC-70-6 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
DN3545N8-G Datasheet DN3545N8-G - Microchip Technology DN3545N8-GTR-ND DN3545N8-G MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 27 Wochen
0,46085 € 2.000 Minimum : 2.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 450V 200mA 0V 20Ohm bei 150mA, 0V
-
-
±20V 360pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 1,6W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-243AA (SOT-89) TO-243AA
DN3545N8-G Datasheet DN3545N8-G - Microchip Technology DN3545N8-GCT-ND DN3545N8-G MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 1.669 - Sofort Verfügbar: 1.669 0,61000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 450V 200mA 0V 20Ohm bei 150mA, 0V
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±20V 360pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 1,6W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-243AA (SOT-89) TO-243AA
DN3545N8-G Datasheet DN3545N8-G - Microchip Technology DN3545N8-GDKR-ND DN3545N8-G MOSFET N-CH 450V 0.2A SOT89-3 1.669 - Sofort Verfügbar: 1.669 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 450V 200mA 0V 20Ohm bei 150mA, 0V
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±20V 360pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 1,6W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-243AA (SOT-89) TO-243AA
DN2470K4-G Datasheet DN2470K4-G - Microchip Technology DN2470K4-GTR-ND DN2470K4-G MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK 36.000 - Sofort Verfügbar: 36.000 0,50274 € 2.000 Minimum : 2.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 700V 170mA (Tj) 0V 42Ohm bei 100mA, 0V
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-
±20V 540pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 2,5W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252, (D-Pak) TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
DN2470K4-G Datasheet DN2470K4-G - Microchip Technology DN2470K4-GCT-ND DN2470K4-G MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK 38.109 - Sofort Verfügbar: 38.109 0,66000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 700V 170mA (Tj) 0V 42Ohm bei 100mA, 0V
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±20V 540pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 2,5W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252, (D-Pak) TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
DN2470K4-G Datasheet DN2470K4-G - Microchip Technology DN2470K4-GDKR-ND DN2470K4-G MOSFET N-CH 700V 0.17A 3DPAK 38.109 - Sofort Verfügbar: 38.109 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 700V 170mA (Tj) 0V 42Ohm bei 100mA, 0V
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±20V 540pF @ 25V Mit Verarmungsschicht 2,5W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252, (D-Pak) TO-252-3, DPak (2 Anschlüsse+Fahne), SC-63
TP5335K1-G Datasheet TP5335K1-G - Microchip Technology TP5335K1-GTR-ND TP5335K1-G MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3 21.000 - Sofort Verfügbar: 21.000 0,53626 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 350V 85mA (Tj) 4,5V, 10V 30Ohm bei 200mA, 10V 2,4V bei 1mA
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±20V 110pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C bis 150°C Oberflächenmontage TO-236AB (SOT23) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TP5335K1-G Datasheet TP5335K1-G - Microchip Technology TP5335K1-GCT-ND TP5335K1-G MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3 21.191 - Sofort Verfügbar: 21.191 0,70000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 350V 85mA (Tj) 4,5V, 10V 30Ohm bei 200mA, 10V 2,4V bei 1mA
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±20V 110pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C bis 150°C Oberflächenmontage TO-236AB (SOT23) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TP5335K1-G Datasheet TP5335K1-G - Microchip Technology TP5335K1-GDKR-ND TP5335K1-G MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3 21.191 - Sofort Verfügbar: 21.191 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 350V 85mA (Tj) 4,5V, 10V 30Ohm bei 200mA, 10V 2,4V bei 1mA
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±20V 110pF @ 25V
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360mW (Ta) -55°C bis 150°C Oberflächenmontage TO-236AB (SOT23) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TN2540N8-G Datasheet TN2540N8-G - Microchip Technology TN2540N8-GTR-ND TN2540N8-G MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3 6.000 - Sofort Verfügbar: 6.000 0,78763 € 2.000 Minimum : 2.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 400V 260mA (Tj) 4,5V, 10V 12Ohm bei 500mA, 10V 2V bei 1mA
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±20V 125pF @ 25V
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1,6W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-243AA (SOT-89) TO-243AA
TN2540N8-G Datasheet TN2540N8-G - Microchip Technology TN2540N8-GCT-ND TN2540N8-G MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3 8.510 - Sofort Verfügbar: 8.510 1,04000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 400V 260mA (Tj) 4,5V, 10V 12Ohm bei 500mA, 10V 2V bei 1mA
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±20V 125pF @ 25V
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1,6W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-243AA (SOT-89) TO-243AA
TN2540N8-G Datasheet TN2540N8-G - Microchip Technology TN2540N8-GDKR-ND TN2540N8-G MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3 8.510 - Sofort Verfügbar: 8.510 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 400V 260mA (Tj) 4,5V, 10V 12Ohm bei 500mA, 10V 2V bei 1mA
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±20V 125pF @ 25V
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1,6W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-243AA (SOT-89) TO-243AA
2N6661 Datasheet 2N6661 - Microchip Technology 2N6661MC-ND 2N6661 MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39 384 - Sofort Verfügbar: 384 9,89000 € 1 Minimum : 1 Lose im Beutel
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 90V 350mA (Tj) 5V, 10V 4Ohm bei 1A, 10V 2V bei 1mA
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±20V 50pF @ 24V
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6,25W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Durchkontaktierung TO-39 TO-205AD, TO-39-3 Metallgehäuse
MSC015SMA070S Datasheet Photo Not Available 691-MSC015SMA070S-ND MSC015SMA070S GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM D3PA 244 - Sofort Verfügbar: 244 26,64000 € 1 Minimum : 1 Stange
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Aktiv N-Kanal SiCFET (Siliziumkarbid) 700V 166A
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-55°C bis 175°C (TJ) Oberflächenmontage D3Pak TO-268-3, D³Pak (2 Anschlüsse+Fahne), TO-268AA
MSC025SMA120B Datasheet MSC025SMA120B - Microchip Technology 691-MSC025SMA120B-ND MSC025SMA120B GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO- 112 - Sofort Verfügbar: 112 29,34000 € 1 Minimum : 1 Stange
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Aktiv N-Kanal SiCFET (Siliziumkarbid) 1,2kV 103 A (Tc) 20V 31mOhm bei 40A, 20V 2,8V bei 1mA 232nC @ 20V +25V, -10V 3020pF @ 1000V
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500W (Tc) -55°C bis 175°C (TJ) Durchkontaktierung TO-247-3 TO-247-3
2N7000-G Datasheet 2N7000-G - Microchip Technology 2N7000-G-ND 2N7000-G MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3 1.966 - Sofort Verfügbar: 1.966 0,31000 € 1 Minimum : 1 Lose im Beutel
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Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 60V 200mA (Tj) 4,5V, 10V 5Ohm bei 500mA, 10V 3V bei 1mA
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±30V 60pF @ 25V
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1W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Durchkontaktierung TO-92-3 TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
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03:04:14 10.1.2020