Produktverzeichnis > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren - FETs, MOSFET - HF

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MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 51.000 - Sofort
15.000 - Lagerbestand des Herstellers ?
Verfügbar: 51.000
0,12563 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
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Aktiv N-Kanal JFET
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12 dB 10V 60mA
-
10mA
-
25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 53.378 - Sofort
15.000 - Lagerbestand des Herstellers ?
Verfügbar: 53.378
0,45000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
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Aktiv N-Kanal JFET
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12 dB 10V 60mA
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10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 53.378 - Sofort
15.000 - Lagerbestand des Herstellers ?
Verfügbar: 53.378
Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
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Aktiv N-Kanal JFET
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12 dB 10V 60mA
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10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1TR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 10.000 - Sofort Verfügbar: 10.000 0,36348 € 10.000 Minimum : 10.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15mA 0,5 dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1CT-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 13.228 - Sofort Verfügbar: 13.228 1,02000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15mA 0,5 dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
CE3512K2-C1 Datasheet CE3512K2-C1 - CEL CE3512K2-C1DKR-ND RF FET 4V 12GHZ 4MICROX 13.228 - Sofort Verfügbar: 13.228 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv pHEMT FET 12GHz 13,7 dB 2V 15mA 0,5 dB 10mA 125mW 4V 4-Micro-X 4-Micro-X
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-2-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 500 - Sofort Verfügbar: 500 12,13258 € 500 Minimum : 500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 400MHz bis 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-1-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 887 - Sofort Verfügbar: 887 18,09000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 400MHz bis 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
BLP9G0722-20GZ Datasheet BLP9G0722-20GZ - Ampleon USA Inc. 1603-1103-6-ND RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 887 - Sofort Verfügbar: 887 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 400MHz bis 2,7GHz 19 dB 28V 1,4µA
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180mA 43 dBm 65V SOT-1483-1 SOT1483-1
NPTB00004A Datasheet NPTB00004A - M/A-Com Technology Solutions 1465-1410-ND HEMT N-CH 28V 5W DC-6GHZ 8SOIC 284 - Sofort Verfügbar: 284 17,18000 € 1 Minimum : 1 Stange?
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Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 14,8 dB 28V 1,4A
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50mA 4W 100V 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) 8-SOIC
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND RF MOSFET HEMT 28V DIE 359 - Sofort Verfügbar: 359 17,29500 € 10 Minimum : 10 Tablett? GaN Aktiv HEMT 6GHz 15 dB 28V
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100mA 8W 84V Einsatz Einsatz
PD85025TR-E Datasheet PD85025TR-E - STMicroelectronics 497-12514-2-ND TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 600 - Sofort Verfügbar: 600 18,17325 € 600 Minimum : 600 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 870MHz 17,3 dB 13,6V 7 A
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300mA 10W 40V PowerSO-10RF freiliegendes Pad unten (2 geformte Anschlüsse) PowerSO-10RF (geformte Anschlüsse)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 660 - Sofort Verfügbar: 660 19,00817 € 60 Minimum : 60 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 727 - Sofort Verfügbar: 727 22,23000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 727 - Sofort Verfügbar: 727 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860MHz 22 dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.000 - Sofort Verfügbar: 1.000 21,73260 € 200 Minimum : 200 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN mit freiliegendem Pad 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.178 - Sofort Verfügbar: 1.178 24,34000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN mit freiliegendem Pad 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP 1.178 - Sofort Verfügbar: 1.178 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 12 dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN mit freiliegendem Pad 6-QFN-EP (3x3)
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 239 - Sofort Verfügbar: 239 28,75000 € 1 Minimum : 1 Stange?
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Aktiv LDMOS 945MHz 16,5 dB 28V 2,5 A
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100mA 18W 65V PowerSO-10 freiliegendes Pad unten 10-PowerSO
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 197 - Sofort Verfügbar: 197 32,18000 € 1 Minimum : 1 Stange? Z-MOS™ Aktiv 2 N-Kanal (zweifach) 70MHz 17 dB 100V 10 A
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270W 500V 8-SMD, Flat-Lead Freiliegendes Lötauge
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BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 13 Wochen
25,11968 € 500
Nicht auf Lager
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 2,11GHz bis 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 313 - Sofort Verfügbar: 313 33,81000 € 1 Minimum : 1 Tablett?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 2,11GHz bis 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 474 - Sofort Verfügbar: 474 34,59000 €
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Tablett?
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Nicht für Neukonstruktionen LDMOS 2,11GHz bis 2,17GHz 18,5 dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006STR-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 500 - Sofort Verfügbar: 500 35,38956 € 250 Minimum : 250 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6GHz 16 dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
CGHV1F006S Datasheet CGHV1F006S - Cree/Wolfspeed CGHV1F006SCT-ND RF MOSFET HEMT 40V 12DFN 551 - Sofort Verfügbar: 551 39,64000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6GHz 16 dB 40V 950mA
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60mA 8W 100V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
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