Produktverzeichnis > Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren - FETs, MOSFET - HF

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Verpackung Serie Status der Komponente Transistor-Typ Frequenz Verstärkung Spannung - Prüfung Nennstrom (Ampere) Störwert Strom - Test Leistung - Ausgabe Spannung - Nennwert Gehäuse / Hülle Gehäusetyp vom Lieferanten
   
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSTR-ND
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 51.000 - Sofort Verfügbar: 51.000 0,12387 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv N-Kanal JFET
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12dB 10V 60mA
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10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSCT-ND
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 52.313 - Sofort Verfügbar: 52.313 0,45000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal JFET
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ310LT1G Datasheet MMBFJ310LT1G - ON Semiconductor MMBFJ310LT1GOSDKR-ND
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23 52.313 - Sofort Verfügbar: 52.313 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv N-Kanal JFET
-
12dB 10V 60mA
-
10mA
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25V TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
CGH60008D-GP4 Datasheet CGH60008D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGH60008D-ND
RF MOSFET HEMT 28V DIE 199 - Sofort Verfügbar: 199 17,05400 € 10 Minimum : 10 Tablett? GaN Aktiv HEMT 6GHz 15dB 28V
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100mA 8W 84V Einsatz Einsatz
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-2-ND
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 300 - Sofort Verfügbar: 300 18,74250 € 60 Minimum : 60 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860MHz 22dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-1-ND
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 343 - Sofort Verfügbar: 343 21,92000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860MHz 22dB 50V
-
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60mA 10W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
BLP10H610AZ Datasheet BLP10H610AZ - Ampleon USA Inc. 568-12809-6-ND
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN 343 - Sofort Verfügbar: 343 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS (zweif.), gemeinsame Quelle 860MHz 22dB 50V
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60mA 10W 104V 12-VDFN mit freiliegendem Pad 12-HVSON (6x5)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006STR-ND
RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 200 - Sofort Verfügbar: 200 23,57165 € 200 Minimum : 200 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 12dB 28V
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100mA 8W 84V 6-VDFN mit freiliegendem Pad 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SCT-ND
RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 272 - Sofort Verfügbar: 272 24,00000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 12dB 28V
-
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100mA 8W 84V 6-VDFN mit freiliegendem Pad 6-QFN-EP (3x3)
CGH40006S Datasheet CGH40006S - Cree/Wolfspeed CGH40006SDKR-ND
RF MOSFET HEMT 28V 6QFN 272 - Sofort Verfügbar: 272 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 12dB 28V
-
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100mA 8W 84V 6-VDFN mit freiliegendem Pad 6-QFN-EP (3x3)
PD57018-E Datasheet PD57018-E - STMicroelectronics 497-5305-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 209 - Sofort Verfügbar: 209 28,35000 € 1 Minimum : 1 Stange?
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Aktiv LDMOS 945MHz 16,5dB 28V 2,5A
-
100mA 18W 65V PowerSO-10 freiliegendes Pad unten 10-PowerSO
BLF6G21-10G,135 Datasheet BLF6G21-10G,135 - Ampleon USA Inc. BLF6G21-10G,135-ND
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 13 Wochen
24,76868 € 500
Nicht auf Lager
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Minimum : 500
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS 2,11GHz bis 2,17GHz 18,5dB 28V
-
-
100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G21-10G,112 Datasheet BLF6G21-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-5104-ND
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 353 - Sofort Verfügbar: 353 33,34000 € 1 Minimum : 1 Tablett?
wechselnde Verpackungseinheit
-
Aktiv LDMOS 2,11GHz bis 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
IXZ2210N50L2 Datasheet IXZ2210N50L2 - IXYS-RF IXZ2210N50L2-ND RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 608 - Sofort Verfügbar: 608 33,73000 € 1 Minimum : 1 Stange? Z-MOS™ Aktiv 2 N-Kanal (zweifach) 70MHz 17dB 100V 10A
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270W 500V 8-SMD, Flat-Lead Freiliegendes Lötauge
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BLF640U Datasheet BLF640U - Ampleon USA Inc. 568-12824-ND
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A 311 - Sofort Verfügbar: 311 34,11000 €
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Tablett?
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Nicht für Neukonstruktionen LDMOS 2,11GHz bis 2,17GHz 18,5dB 28V
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100mA 700mW 65V SOT-538A 2-CSMD
BLF6G27-10G,118 Datasheet BLF6G27-10G,118 - Ampleon USA Inc. BLF6G27-10G,118-ND
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 13 Wochen
27,62960 € 100
Nicht auf Lager
?
Minimum : 100
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 2,5GHz bis 2,7GHz 19dB 28V 3,5A
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130mA 2W 65V SOT-975C CDFM2
BLF6G27-10G,112 Datasheet BLF6G27-10G,112 - Ampleon USA Inc. 568-8633-ND
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C 161 - Sofort Verfügbar: 161 34,11000 € 1 Minimum : 1 Tablett?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 2,5GHz bis 2,7GHz 19dB 28V 3,5A
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130mA 2W 65V SOT-975C CDFM2
CGHV1J025D-GP4 Datasheet CGHV1J025D-GP4 - Cree/Wolfspeed CGHV1J025D-GP4-ND
RF MOSFET HEMT 40V DIE 120 - Sofort Verfügbar: 120 36,50500 € 10 Minimum : 10 Tablett? GaN Aktiv HEMT 18GHz 17dB 40V
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120mA 25W 100V Einsatz Einsatz
CGH40006P Datasheet CGH40006P - Cree/Wolfspeed CGH40006P-ND
RF MOSFET HEMT 28V 440109 505 - Sofort Verfügbar: 505 40,47000 € 1 Minimum : 1 Stange? GaN Aktiv HEMT 0 Hz bis 6 GHz 13dB 28V 3,5A
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100mA 8W 84V 440109 440109
CGH27030S Datasheet CGH27030S - Cree/Wolfspeed CGH27030STR-ND
RF MOSFET HEMT 28V 12DFN 1.500 - Sofort Verfügbar: 1.500 41,02000 € 250 Minimum : 250 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6GHz 18,3dB 28V
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200mA 30W 84V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
CGH27030S Datasheet CGH27030S - Cree/Wolfspeed CGH27030SCT-ND
RF MOSFET HEMT 28V 12DFN 1.620 - Sofort Verfügbar: 1.620 45,95000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6GHz 18,3dB 28V
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200mA 30W 84V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
CGH27030S Datasheet CGH27030S - Cree/Wolfspeed CGH27030SDKR-ND
RF MOSFET HEMT 28V 12DFN 1.620 - Sofort Verfügbar: 1.620 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®?
wechselnde Verpackungseinheit
GaN Aktiv HEMT 6GHz 18,3dB 28V
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200mA 30W 84V 12-VFDFN mit freiliegendem Pad 12-DFN (4x3)
CGH40010F Datasheet CGH40010F - Cree/Wolfspeed CGH40010F-ND
RF MOSFET HEMT 28V 440166 846 - Sofort Verfügbar: 846 43,58000 €
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Tablett? GaN Nicht für Neukonstruktionen HEMT 0 Hz bis 6 GHz 14,5dB 28V 3,5A
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200mA 12,5W 84V 440166 440166
PD57060-E Datasheet PD57060-E - STMicroelectronics 497-5309-5-ND FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 829 - Sofort Verfügbar: 829 47,33000 € 1 Minimum : 1 Stange?
wechselnde Verpackungseinheit
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Aktiv LDMOS 945MHz 14,3dB 28V 7A
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100mA 60W 65V PowerSO-10 freiliegendes Pad unten 10-PowerSO
CGH27015F Datasheet CGH27015F - Cree/Wolfspeed CGH27015F-ND
RF MOSFET HEMT 28V 440166 39 - Sofort Verfügbar: 39 54,96000 € 1 Minimum : 1 Tablett? GaN Aktiv HEMT 3GHz 15dB 28V
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100mA 15W 84V 440166 440166
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