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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ FET-Merkmal Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds Leistung - Max. Betriebstemperatur Montagetyp Gehäuse / Hülle Gehäusetyp vom Lieferanten
   
EPC2104 Datasheet EPC2104 - EPC 917-1184-2-ND EPC2104 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 6.000 - Sofort Verfügbar: 6.000 3,82894 € 500 Minimum : 500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 100V 23A 6,3mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 5,5mA 7nC bei 5V 800pF bei 50V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2104 Datasheet EPC2104 - EPC 917-1184-1-ND EPC2104 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 6.203 - Sofort Verfügbar: 6.203 6,11000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 100V 23A 6,3mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 5,5mA 7nC bei 5V 800pF bei 50V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2104 Datasheet EPC2104 - EPC 917-1184-6-ND EPC2104 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 6.203 - Sofort Verfügbar: 6.203 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 100V 23A 6,3mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 5,5mA 7nC bei 5V 800pF bei 50V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2108 Datasheet EPC2108 - EPC 917-1169-2-ND EPC2108 GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA 2.500 - Sofort Verfügbar: 2.500 0,75438 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 3 N-Kanal (Halbbrücke + synchroner Bootstrap) GaNFET (Galliumnitrid) 60V, 100V 1,7A, 500mA 190mOhm bei 2,5A, 5V, 3,3Ohm bei 2,5A, 5V 2,5V bei 100µA, 2,5V bei 20µA 0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V 22pF bei 30V, 7pF bei 30V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 9-VFBGA 9-BGA (1,35x1,35)
EPC2108 Datasheet EPC2108 - EPC 917-1169-1-ND EPC2108 GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA 2.541 - Sofort Verfügbar: 2.541 1,63000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 3 N-Kanal (Halbbrücke + synchroner Bootstrap) GaNFET (Galliumnitrid) 60V, 100V 1,7A, 500mA 190mOhm bei 2,5A, 5V, 3,3Ohm bei 2,5A, 5V 2,5V bei 100µA, 2,5V bei 20µA 0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V 22pF bei 30V, 7pF bei 30V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 9-VFBGA 9-BGA (1,35x1,35)
EPC2108 Datasheet EPC2108 - EPC 917-1169-6-ND EPC2108 GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA 2.541 - Sofort Verfügbar: 2.541 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 3 N-Kanal (Halbbrücke + synchroner Bootstrap) GaNFET (Galliumnitrid) 60V, 100V 1,7A, 500mA 190mOhm bei 2,5A, 5V, 3,3Ohm bei 2,5A, 5V 2,5V bei 100µA, 2,5V bei 20µA 0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V 22pF bei 30V, 7pF bei 30V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 9-VFBGA 9-BGA (1,35x1,35)
EPC2107 Datasheet EPC2107 - EPC 917-1168-2-ND EPC2107 GANFET 3 N-CH 100V 9BGA 5.000 - Sofort Verfügbar: 5.000 0,79273 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 3 N-Kanal (Halbbrücke + synchroner Bootstrap) GaNFET (Galliumnitrid) 100V 1,7A, 500mA 320mOhm bei 2A, 5V, 3,3Ohm bei 2A, 5V 2,5V bei 100µA, 2,5V bei 20µA 0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V 16pF bei 50V, 7pF bei 50V
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-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 9-VFBGA 9-BGA (1,35x1,35)
EPC2107 Datasheet EPC2107 - EPC 917-1168-1-ND EPC2107 GANFET 3 N-CH 100V 9BGA 6.407 - Sofort Verfügbar: 6.407 1,71000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 3 N-Kanal (Halbbrücke + synchroner Bootstrap) GaNFET (Galliumnitrid) 100V 1,7A, 500mA 320mOhm bei 2A, 5V, 3,3Ohm bei 2A, 5V 2,5V bei 100µA, 2,5V bei 20µA 0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V 16pF bei 50V, 7pF bei 50V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 9-VFBGA 9-BGA (1,35x1,35)
EPC2107 Datasheet EPC2107 - EPC 917-1168-6-ND EPC2107 GANFET 3 N-CH 100V 9BGA 6.407 - Sofort Verfügbar: 6.407 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 3 N-Kanal (Halbbrücke + synchroner Bootstrap) GaNFET (Galliumnitrid) 100V 1,7A, 500mA 320mOhm bei 2A, 5V, 3,3Ohm bei 2A, 5V 2,5V bei 100µA, 2,5V bei 20µA 0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V 16pF bei 50V, 7pF bei 50V
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-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage 9-VFBGA 9-BGA (1,35x1,35)
EPC2110 Datasheet EPC2110 - EPC 917-1152-2-ND EPC2110 GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE 5.000 - Sofort Verfügbar: 5.000 0,93338 € 2.500 Minimum : 2.500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin GaNFET (Galliumnitrid) 120V 3,4A 60mOhm bei 4A, 5V 2,5V bei 700µA 0,8nC bei 5V 80pF bei 60V
-
-40°C bis 150°C (TJ)
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Einsatz Einsatz
EPC2110 Datasheet EPC2110 - EPC 917-1152-1-ND EPC2110 GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE 7.478 - Sofort Verfügbar: 7.478 2,02000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin GaNFET (Galliumnitrid) 120V 3,4A 60mOhm bei 4A, 5V 2,5V bei 700µA 0,8nC bei 5V 80pF bei 60V
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-40°C bis 150°C (TJ)
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Einsatz Einsatz
EPC2110 Datasheet EPC2110 - EPC 917-1152-6-ND EPC2110 GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE 7.478 - Sofort Verfügbar: 7.478 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin GaNFET (Galliumnitrid) 120V 3,4A 60mOhm bei 4A, 5V 2,5V bei 700µA 0,8nC bei 5V 80pF bei 60V
-
-40°C bis 150°C (TJ)
-
Einsatz Einsatz
EPC2102 Datasheet EPC2102 - EPC 917-1182-2-ND EPC2102 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 500 - Sofort Verfügbar: 500 4,44722 € 500 Minimum : 500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 60V 23A 4,4mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 7mA 6,8nC bei 5V 830pF bei 30V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2102 Datasheet EPC2102 - EPC 917-1182-1-ND EPC2102 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 582 - Sofort Verfügbar: 582 6,83000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 60V 23A 4,4mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 7mA 6,8nC bei 5V 830pF bei 30V
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-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2102 Datasheet EPC2102 - EPC 917-1182-6-ND EPC2102 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 582 - Sofort Verfügbar: 582 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 60V 23A 4,4mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 7mA 6,8nC bei 5V 830pF bei 30V
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-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2101 Datasheet EPC2101 - EPC 917-1181-2-ND EPC2101 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 500 - Sofort Verfügbar: 500 3,75112 € 500 Minimum : 500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 60V 9,5 A, 38 A 11,5mOhm bei 20A, 5V, 2,7mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 3mA, 2,5V bei 12mA 2,7nC bei 5V, 12nC bei 5V 300pF bei 30V, 1200pF bei 30V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2101 Datasheet EPC2101 - EPC 917-1181-1-ND EPC2101 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 714 - Sofort Verfügbar: 714 5,99000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 60V 9,5 A, 38 A 11,5mOhm bei 20A, 5V, 2,7mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 3mA, 2,5V bei 12mA 2,7nC bei 5V, 12nC bei 5V 300pF bei 30V, 1200pF bei 30V
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-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2101 Datasheet EPC2101 - EPC 917-1181-6-ND EPC2101 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 714 - Sofort Verfügbar: 714 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 60V 9,5 A, 38 A 11,5mOhm bei 20A, 5V, 2,7mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 3mA, 2,5V bei 12mA 2,7nC bei 5V, 12nC bei 5V 300pF bei 30V, 1200pF bei 30V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2100 Datasheet EPC2100 - EPC 917-1180-2-ND EPC2100 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 500 - Sofort Verfügbar: 500 3,70442 € 500 Minimum : 500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) 8,2mOhm bei 25A, 5V, 2,1mOhm bei 25A, 5V 2,5V bei 4mA, 2,5V bei 16mA 4,9nC bei 15V, 19nC bei 15V 475pF bei 15V, 1960pF bei 15V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2100 Datasheet EPC2100 - EPC 917-1180-1-ND EPC2100 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 500 - Sofort Verfügbar: 500 5,92000 € 1
Nicht auf Lager
Minimum : 1
Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) 8,2mOhm bei 25A, 5V, 2,1mOhm bei 25A, 5V 2,5V bei 4mA, 2,5V bei 16mA 4,9nC bei 15V, 19nC bei 15V 475pF bei 15V, 1960pF bei 15V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2100 Datasheet EPC2100 - EPC 917-1180-6-ND EPC2100 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 500 - Sofort Verfügbar: 500 Digi-Reel® 1
Nicht auf Lager
Minimum : 1
Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 30V 10 A (Ta), 40 A (Ta) 8,2mOhm bei 25A, 5V, 2,1mOhm bei 25A, 5V 2,5V bei 4mA, 2,5V bei 16mA 4,9nC bei 15V, 19nC bei 15V 475pF bei 15V, 1960pF bei 15V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2103 Datasheet EPC2103 - EPC 917-1183-2-ND EPC2103 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 2.500 - Sofort Verfügbar: 2.500 3,78226 € 500 Minimum : 500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 80V 28A 5,5mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 7mA 6,5nC bei 5V 760pF bei 40V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2103 Datasheet EPC2103 - EPC 917-1183-1-ND EPC2103 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 2.998 - Sofort Verfügbar: 2.998 6,03000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 80V 28A 5,5mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 7mA 6,5nC bei 5V 760pF bei 40V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2103 Datasheet EPC2103 - EPC 917-1183-6-ND EPC2103 GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG 2.998 - Sofort Verfügbar: 2.998 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 80V 28A 5,5mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 7mA 6,5nC bei 5V 760pF bei 40V
-
-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
EPC2105 Datasheet EPC2105 - EPC 917-1185-2-ND EPC2105 GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID 500 - Sofort Verfügbar: 500 3,81338 € 500 Minimum : 500 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
eGaN® Aktiv 2 N-Kanal (Halbbrücke) GaNFET (Galliumnitrid) 80V 9,5 A, 38 A 14,5mOhm bei 20A, 5V, 3,4mOhm bei 20A, 5V 2,5V bei 2,5mA, 2,5V bei 10mA 2,5nC bei 5V, 10nC bei 5V 300pF bei 40V, 1100pF bei 40V
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-40°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Einsatz Einsatz
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18:01:06 4.21.2021