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SQJB80EP-T1_GE3 MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 80V 30 A (Tc) 48W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
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  • Digi-Reel®  : SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

SQJB80EP-T1_GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SQJB80EP-T1_GE3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SQJB80EP-T1_GE3
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Beschreibung MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 80V 30 A (Tc) 48W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual

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Dokumente & Medien
Datenblätter SQJB80EP
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie Automobiltechnik, AEC-Q101, TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 19mOhm bei 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400pF bei 25V
Leistung - Max. 48W
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual
Basis der Teilenummer SQJB80
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SQJB80EP-T1_GE3CT