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SIS892DN-T1-GE3 N-Kanal 100V 30 A (Tc) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,58000 1,58 €
10 1,40400 14,04 €
100 1,10960 110,96 €
500 0,86052 430,26 €
1.000 0,67936 679,36 €

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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SIS892DN-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer

SIS892DN-T1-GE3

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Beschreibung MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 100V 30 A (Tc) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8

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Dokumente & Medien
Datenblätter SIS892DN
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Vorgestelltes Produkt ThunderFETs
PCN-Montage/Herkunft Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung ? Gurtabschnitt (CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5 V, 10 V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 29 mOhm bei 10 A, 10 V
Vgs(th) (max.) bei Id 3 V bei 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 21,5nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 611pF @ 50V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SIS892DN-T1-GE3CT
Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ? : SIS892DN-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Stückpreis: 0,61560 €

01:10:21 1.20.2019