Zu Favoriten hinzufügen
SIS892DN-T1-GE3 N-Kanal 100V 30 A (Tc) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,54000 1,54 €
10 1,36800 13,68 €
100 1,08100 108,10 €
500 0,83834 419,17 €
1.000 0,66185 661,85 €

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SIS892DN-T1-GE3CT-ND
Kopieren   SIS892DN-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 14.689
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Kopieren   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Hersteller-Teilenummer

SIS892DN-T1-GE3

Kopieren   SIS892DN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Kopieren   MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 100V 30 A (Tc) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8

Kopieren   N-Kanal 100V 30 A (Tc) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Dokumente & Medien
Datenblätter SIS892DN
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
Vorgestelltes Produkt ThunderFETs
PCN-Montage/Herkunft Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung ? Gurtabschnitt (CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5 V, 10 V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 29 mOhm bei 10 A, 10 V
Vgs(th) (max.) bei Id 3 V bei 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 21,5nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 611pF @ 50V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
  • SIR882DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SIR882DP-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SIR882DP-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  • Stückpreis 2,40000 €
  • SIR882DP-T1-GE3CT-ND
  • 750312504 - Wurth Electronics Midcom | 1297-1018-1-ND DigiKey Electronics
  • 750312504
  • Wurth Electronics Midcom
  • FLYBACK XFRM WE-FB LTC3300
  • Stückpreis 5,09000 €
  • 1297-1018-1-ND
  • LTC3300ILXE-1#PBF - Linear Technology/Analog Devices | LTC3300ILXE-1#PBF-ND DigiKey Electronics
  • LTC3300ILXE-1#PBF
  • Linear Technology/Analog Devices
  • IC BATTERY BALANCER 48LQFP
  • Stückpreis 11,44000 €
  • LTC3300ILXE-1#PBF-ND
  • SIS890DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SIS890DN-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SIS890DN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
  • Stückpreis 1,36000 €
  • SIS890DN-T1-GE3CT-ND
  • 1723101102 - Molex, LLC | WM11586-ND DigiKey Electronics
  • 1723101102
  • Molex, LLC
  • ULTRAFIT CONN HDR RA 02CKT
  • Stückpreis 0,65000 €
  • WM11586-ND
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SIS892DN-T1-GE3CT
Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ? : SIS892DN-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,59973 €
  • Digi-Reel® ? : SIS892DN-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 14.709 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

06:03:49 10.15.2018