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SIS443DN-T1-GE3 P-Kanal 40V 35 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Preise & Beschaffung
 

Menge
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Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,47000 1,47 €
10 1,31400 13,14 €
100 1,02390 102,39 €
500 0,84590 422,95 €
1.000 0,66781 667,81 €

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Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SIS443DN-T1-GE3CT-ND
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Verfügbare Menge 53.800
Kann sofort versendet werden
Hersteller

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Hersteller-Teilenummer

SIS443DN-T1-GE3

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Beschreibung MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
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Standardlieferzeit des Herstellers 31 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 40V 35 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8

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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung ? Gurtabschnitt (CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 11,7mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 135nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 4370pF @ 20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SIS443DN-T1-GE3CT
Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
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  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 51.000 - Sofort
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  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 53.800 - Sofort
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16:46:35 6.25.2019