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SIR664DP-T1-GE3 N-Kanal 60V 60 A (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
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  • Digi-Reel®  : SIR664DP-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

SIR664DP-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SIR664DP-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SIR664DP-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
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Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 60 A (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SIR664DP
HTML-Datenblatt SIR664DP
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Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1750pF @ 30V
FET-Merkmal -
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Basis der Teilenummer SIR664
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SIR664DP-T1-GE3CT