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10 0,83300 €8,33
25 0,81760 €20,44
100 0,64800 €64,80
500 0,54922 €274,61
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SIR422DP-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Stückpreis: 0,42117 €

SIR422DP-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SIR422DP-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SIR422DP-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
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Standardlieferzeit des Herstellers 20 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 40V 40 A (Tc) 5W (Ta), 34,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SIR422DP
PCN-Montage/Herkunft Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
HTML-Datenblatt SIR422DP
EDA- / CAD-Modelle SIR422DP-T1-GE3 by SnapEDA
SIR422DP-T1-GE3 by Ultra Librarian
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Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,6mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1785pF @ 20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 34,7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Basis der Teilenummer SIR422
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SIR422DP-T1-GE3CT