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SI9945BDY-T1-GE3 MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 60V 5,3A 3,1W Oberflächenmontage 8-SO
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10 0,69400 €6,94
25 0,65840 €16,46
100 0,54080 €54,08
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SI9945BDY-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SI9945BDY-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
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Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 60V 5,3A 3,1W Oberflächenmontage 8-SO

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Kundenreferenz
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Datenblätter SI9945BDY
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Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 58mOhm bei 4,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 20nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 665pF bei 15V
Leistung - Max. 3,1W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Basis der Teilenummer SI9945
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Standardpaket 1
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