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SI7615DN-T1-GE3 P-Kanal 20V 35 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI7615DN-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI7615DN-T1-GE3TR-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SI7615DN-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 20V 35 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8

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Dokumente & Medien
Datenblätter SI7615DN
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN-Montage/Herkunft Wafer Site 12/Sep/2018
HTML-Datenblatt SI7615DN
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,9mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 183nC @ 10V
Vgs (Max.) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6000pF @ 10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Basis der Teilenummer SI7615
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 3.000
Andere Namen SI7615DN-T1-GE3-ND
SI7615DN-T1-GE3TR
SI7615DNT1GE3