Zu Favoriten hinzufügen
SI7615DN-T1-GE3 P-Kanal 20V 35 A (Tc) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,57000 1,57 €
10 1,39800 13,98 €
100 1,10450 110,45 €
500 0,85656 428,28 €
1.000 0,67624 676,24 €

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Produktübersicht
Digi-Key Teilenummer SI7615DN-T1-GE3CT-ND
Kopieren   SI7615DN-T1-GE3CT-ND
Verfügbare Menge 2.799
Kann sofort versendet werden
Hersteller

Kopieren   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Hersteller-Teilenummer

SI7615DN-T1-GE3

Kopieren   SI7615DN-T1-GE3
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
Kopieren   MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers 32 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 20V 35 A (Tc) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8

Kopieren   P-Kanal 20V 35 A (Tc) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Produkteigenschaften Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung ? Gurtabschnitt (CT) ?
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 35 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6 V, 10 V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 3,9 mOhm bei 20 A, 10 V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5 V bei 250 µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 183nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 6000pF @ 10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,7 W (Ta), 52 W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein
  • SI7615ADN-T1-GE3 - Vishay Siliconix | SI7615ADN-T1-GE3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7615ADN-T1-GE3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S
  • Stückpreis 0,73000 €
  • SI7615ADN-T1-GE3CT-ND
  • 766165191AP - CTS Resistor Products | 766-165-R330/470P-ND DigiKey Electronics
  • 766165191AP
  • CTS Resistor Products
  • RES NTWRK 28 RES MULT OHM 16SOIC
  • Stückpreis 1,96000 €
  • 766-165-R330/470P-ND
  • PCA9512ADP,118 - NXP USA Inc. | 568-3362-1-ND DigiKey Electronics
  • PCA9512ADP,118
  • NXP USA Inc.
  • IC ACCELERATR I2C HOTSWAP 8TSSOP
  • Stückpreis 2,02000 €
  • 568-3362-1-ND
  • MMBZ5245BLT1G - ON Semiconductor | MMBZ5245BLT1GOSCT-ND DigiKey Electronics
  • MMBZ5245BLT1G
  • ON Semiconductor
  • DIODE ZENER 15V 225MW SOT23-3
  • Stückpreis 0,14000 €
  • MMBZ5245BLT1GOSCT-ND
  • SI7370DP-T1-E3 - Vishay Siliconix | SI7370DP-T1-E3CT-ND DigiKey Electronics
  • SI7370DP-T1-E3
  • Vishay Siliconix
  • MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
  • Stückpreis 1,94000 €
  • SI7370DP-T1-E3CT-ND
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket ? 1
Andere Namen SI7615DN-T1-GE3CT
Alternative Verpackungseinheit | Dieses Teil ist ausserdem in folgenden Verpackungseinheiten verfügbar:
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) ? : SI7615DN-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Stückpreis: 0,61277 €
  • Digi-Reel® ? : SI7615DN-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 2.799 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

00:23:34 10.18.2018