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SI7611DN-T1-GE3 P-Kanal 40V 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 39W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
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100 0,95250 95,25 €
250 0,92804 232,01 €
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Alternative Verpackung
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  • Digi-Reel®  : SI7611DN-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 7.792 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI7611DN-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI7611DN-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SI7611DN-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 40V 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 39W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8

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Dokumente & Medien
Datenblätter SI7611DN
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
HTML-Datenblatt SI7611DN
EDA- / CAD-Modelle SI7611DN-T1-GE3 by SnapEDA
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 25mOhm bei 9,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 62nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1980pF @ 20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,7W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Basis der Teilenummer SI7611
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI7611DN-T1-GE3CT