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SI7288DP-T1-GE3 MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 40V 20A 15,6W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
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Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,32000 €1,32
10 1,18100 €11,81
25 1,12080 €28,02
100 0,92070 €92,07
500 0,76060 €380,30
1.000 0,60047 €600,47

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SI7288DP-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI7288DP-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SI7288DP-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
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Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 40V 20A 15,6W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SI7288DP
PCN-Montage/Herkunft Wafer Site 12/Sep/2018
HTML-Datenblatt SI7288DP
EDA- / CAD-Modelle SI7288DP-T1-GE3 by SnapEDA
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 19mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 565pF bei 20V
Leistung - Max. 15,6W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8 Dual
Basis der Teilenummer SI7288
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI7288DP-T1-GE3CT