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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SI2365EDS-T1-GE3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 63.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,07317 €
  • Digi-Reel®  : SI2365EDS-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 65.784 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI2365EDS-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI2365EDS-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SI2365EDS-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236
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Standardlieferzeit des Herstellers 19 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 20V 5,9 A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) Oberflächenmontage TO-236

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2365EDS
PCN-Montage/Herkunft Wafer Site 12/Sep/2018
HTML-Datenblatt SI2365EDS
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,9 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 32mOhm bei 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 36nC @ 8V
Vgs (Max.) ±8V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 1,7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-236
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer SI2365
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI2365EDS-T1-GE3CT