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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SI2318DS-T1-E3TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,16004 €
  • Digi-Reel®  : SI2318DS-T1-E3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 10.017 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SI2318DS-T1-E3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI2318DS-T1-E3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SI2318DS-T1-E3
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Beschreibung MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 40V 3 A (Ta) 750mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2318DS
HTML-Datenblatt SI2318DS
EDA- / CAD-Modelle SI2318DS-T1-E3 by Ultra Librarian
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Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 45mOhm bei 3,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 540pF @ 20V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer SI2318
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SI2318DS-T1-E3CT