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SSM3K36MFV,L3F N-Kanal 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenmontage VESM
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10 0,21400 2,14 €
25 0,20000 5,00 €
100 0,10840 10,84 €
500 0,08846 44,23 €
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SSM3K36MFVL3FTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 8.000
  • Verfügbare Menge: 152.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,05279 €
  • Digi-Reel®  : SSM3K36MFVL3FDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 153.628 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SSM3K36MFV,L3F

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SSM3K36MFVL3FCT-ND
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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

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Hersteller-Teilenummer SSM3K36MFV,L3F
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Beschreibung MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Oberflächenmontage VESM

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SSM3K36MFV
Mosfets Prod Guide
Produktschulungsmodul(e) General Purpose Discrete Items
Vorgestelltes Produkt Server Solutions
Discrete Thermostat Solution
HTML-Datenblatt Mosfets Prod Guide
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Kategorien
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSIII
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 500mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 630mOhm bei 200mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1,23nC @ 4V
Vgs (Max.) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 46pF @ 10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten VESM
Gehäuse / Hülle SOT-723
Basis der Teilenummer TC7SH126
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SSM3K36MFV(TL3T)CT
SSM3K36MFV(TL3T)CT-ND
SSM3K36MFV(TPL3)CT
SSM3K36MFV(TPL3)CT-ND
SSM3K36MFVL3FCT